主题中讨论的其他器件: ISO7741
您好!
SLLA368C 应用手册对于 EMI 发射相关问题非常有用。 ISOW7841数据表还指出"ISOW784x 系列器件在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时可提供高电磁抗扰度和低辐射。" 那么、这种高电磁抗扰度有哪些众所周知的特性呢? 例如与 EN 61000-4-3相关?
我们的应用需要4kV 隔离、并且不受20V/m (高达1GHz)、10V/m (高达2GHz)、5V/m (高达2.7GHz)和3V/m (高达6GHz)的影响。 对于 ISOW7841对这些 EM 场强的易感性、我们有何预期? ISOW7841能否承受这些抗扰性测试、或者我们是否应采取某种额外的预防措施。
我们最好在非屏蔽塑料外壳中使用 ISOW7841、因为使用金属 EMI 屏蔽层通常会使4kV 隔离变得更加困难。 或者、ISOW7841只能使用额外的屏蔽来承受这些 EM 场。 如果是、您可以提供有关如何实现此类 EMI 屏蔽的建议、例如应将其连接到哪个 GND 侧等
此致、
勒内
