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[参考译文] ISOW7841:EMI 抗扰度和屏蔽

Guru**** 2454880 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7841, ISO7741

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/824399/isow7841-emi-immunity-and-shielding

器件型号:ISOW7841
主题中讨论的其他器件: ISO7741

您好!

SLLA368C 应用手册对于 EMI 发射相关问题非常有用。 ISOW7841数据表还指出"ISOW784x 系列器件在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时可提供高电磁抗扰度和低辐射。" 那么、这种高电磁抗扰度有哪些众所周知的特性呢? 例如与 EN 61000-4-3相关?

我们的应用需要4kV 隔离、并且不受20V/m (高达1GHz)、10V/m (高达2GHz)、5V/m (高达2.7GHz)和3V/m (高达6GHz)的影响。 对于 ISOW7841对这些 EM 场强的易感性、我们有何预期? ISOW7841能否承受这些抗扰性测试、或者我们是否应采取某种额外的预防措施。

我们最好在非屏蔽塑料外壳中使用 ISOW7841、因为使用金属 EMI 屏蔽层通常会使4kV 隔离变得更加困难。 或者、ISOW7841只能使用额外的屏蔽来承受这些 EM 场。 如果是、您可以提供有关如何实现此类 EMI 屏蔽的建议、例如应将其连接到哪个 GND 侧等

此致、

勒内

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    尊敬的 Rene:

    欢迎访问 TI E2E 论坛、感谢您关注 ISOW7841并阅读应用手册 SLLA368C。

    ISOW7841 (具有集成电源的数字隔离器)是比其他数字隔离器(如 ISO77xx)更复杂的器件、因此 ISOW7841的 EMI 性能可能与 ISO77xx 不匹配、但预计会优于业界其他等效器件。

    关于抗辐射干扰(RI)性能、我们目前没有对 ISOW7841进行复杂的测试。 我们的有限测试数据表明、ISOW7841在中等尺寸评估板上支持10V/m 至1GHz 的频率。 我们没有>1GHz 频率的测试数据。 为了能够支持20V/m、您可能需要额外的屏蔽。
    如果 RI 是一项严格要求、并且您不想使用任何 EMI 屏蔽、那么我建议将 ISO7741与基于 SN6505的外部电源配合使用。 这应该支持20V/m

    由于 ISOW7841以极高的开关频率(~60MHz)进行开关、因此根据辐射发射(RE)要求、您可能需要优化 PCB 以满足 RE 要求。 请参阅以下 E2E 帖子、了解有关优化 PCB 以支持良好 RE 结果的一些详细信息。 如果您有任何问题、请告诉我、谢谢。

    此致、
    Koteshwar Rao

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    Koteshwar、您好!

    感谢您的回复和建议。 尤其是辐射发射共模扼流圈更新。

    关于辐射抗扰度、您能否为 ISOW7841提供这些有限的辐射抗扰度测试数据? 包括所用的测试板。

    您是否还有应用手册、测试报告、白皮书或其他内容、其中介绍了 ISO7741与20V/m 辐射抗扰度测试相关的内容? 这包括 SN6505吗?

    此致、

    勒内

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    尊敬的 Rene:

    当然、我可以帮助您共享与 RI 测试相关的更多信息。 我可以通过您用于创建 E2E 帐户的电子邮件联系您吗? 谢谢。

    此致、
    Koteshwar Rao

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    Koteshwar、您好!

    谢谢你。 是的,您可以使用该电子邮件地址。

    此致、

    勒内