[参考译文] ISOW7841：ISOW7841发生了故障

您好、Slava、

感谢您与我们联系。 请在我的输入下方查找。

1. TIDA-00300使用齐纳二极管实现了可选的附加过压保护、这对于 ISOW 来说不是强制性的。 但是、为了避免出现任何此类过压问题、请务必遵循 Andrey 发布的 E2E 帖子中提供的建议。
2. 明白。

对于 ISOW、脉冲电流不会成为问题、电流不一定需要持续消耗。

如果遵循 Andrey 的 E2E 帖子中提供的建议、则无源负载也不是强制性要求。

我们不希望脉冲电流操作和无源负载的情况导致任何过压问题。 如果 iSOW VCC 的主电源发生掉电、而次级侧电源 VISO 保持在 UVLO 以上、则可能会出现过压问题。 此类测试条件可能会导致初级和次级骰子之间出现同步问题、从而导致开环运行、最终导致输出过压情况。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

大家好、Koteshwar。

客户升级了他的板：

-在 VCC 电源轨上添加1000uF 电容器

- 1uF 电容器、470R 电阻器和齐纳二极管与 VISO 总线并联

然后、客户通过观察 VCC (蓝色)和 VISO (黄色)来执行电源循环测试。

我们可以在下面的示波器中看到：

-在某些情况下、VCC 被施加后(蓝色)、VISO (黄色)开始增加

-发生 VISO (黄色)增大、而 VCC 电压保持稳定(蓝色)

您好、Slava、

感谢您与波形共享更新。

您能否确认 VISO 引脚上使用的电容器？ 我看到您提到客户添加了470Ω Ω 电阻器、齐纳二极管和1µF Ω 电容器。 除了已经存在的电容器之外、这是不是额外的？ 您能否确认现有的电容器是什么？

VCC 和 VISO 需要在尽可能靠近器件 PCB 层上引脚的位置至少10µF Ω+ 0.1µF Ω。 任何小于10µF Ω+ 0.1µF Ω 的值都将使器件无法正常运行。 这就是我需要对此进行确认的原因。
建议在 VCC 上额外使用一个100µF μ A、以避免由于电源循环测试而导致的任何过压问题。 还请指出1000µF μ F 电容器在客户 PCB 上的确切位置？ 任何显示放置位置的图片也很有用。

请确认遵循了这些有关电容器值及其放置的建议。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好、Koti。

客户进行了一些额外的测试、发现 ISOW 工作稳定的点。

将以下组件放置在尽可能靠近 ISOW 的位置：

- Viso - 0.22uF + 15uF + 470 Ω+齐纳二极管

- Vcc - 0.22uF +15uF

由于板载 Vcc 总线上所有已安装电容器的总电容等于1150 uF、Viso 侧的过压继续出现。

在总 Vcc 电容降至450uF 后、Viso 将保持稳定。

50个电源测试周期未导致任何异常行为。

现在、客户将使用温度范围为-40...+50 C 的小型电路板系列执行测试

您好、Slava、

感谢这次更新、很高兴知道客户能够找到 ISOW 工作正常的电容值。

0.1µF、ISOW 的工作电容值与 VCC 处的电容值至少比 VISO 处的电容大100µF μ F、前提是这些电容靠近器件电源引脚放置、且电容值较小(最好是10µF μ F +μ F) 放置在最靠近器件电源引脚的位置。 为了确保遵循这些建议、您是否能够帮助我了解客户测试板的原理图和 PCB 布局？ 您也可以通过电子邮件向我发送这些文件。 如果您有任何问题、请告诉我、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

您好、Slava、

请务必在我之前的帖子中帮助我们提供所需的信息。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao