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[参考译文] ISOW7841EVM：添加铁氧体磁珠、共模楔块和拼接电容器。

admin
Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7841, ISOW7741
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors

器件型号：ISOW7841EVM
主题中讨论的其他器件：ISOW7841、 ISOW7741

您好！

我正在计划使用 ISOW7841的器件。

它需要通过 CISPR 32 B 类认证。

我介绍了7841和7741器件的应用手册。

在7841器件中、建议使用共模楔块、而在7741 EVM 板中有铁氧体磁珠。

最好的建议是什么？

串联使用磁珠和 CMM 是否更好？ 如果是、应将哪一个连接到去耦电容器？

另外、我建议使用拼接电容器、空间非常有限、能否在 GND1和 GND2之间添加 Y2电容器？

谢谢、

体层器

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    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Tomer、您好！

    感谢您的参与。

    ISOW7841是我们集成了隔离式直流/直流转换器的第一代器件。 根据设计、PCB 尺寸、布线和测试设置、在最坏情况下、您可能需要使用共模扼流圈来满足 CISPR 32 B 类要求。

    ISOW7741是第二代器件、可显著改善辐射发射、无需共模扼流圈、只需使用尺寸更小且成本更低的铁氧体磁珠即可获得最佳效果。 因此、我们建议您将 ISOW7741用于您的应用、并以最少的外部组件满足 CISPR 32 B 类要求。

    拼接电容器确实有助于进一步降低辐射、但它可能需要较大的 PCB 空间来实现合理的电容、但我们认为 ISOW7741在大多数应用中无需满足 CISPR 32 B 类要求。 假设 Y2电容器的工作与拼接电容器相同、但遗憾的是、它会受到高泄漏/引线电感的影响、这可能会降低电容器的效率、而不会显著改善辐射。 因此、我们不建议使用 Y2电容器来改善辐射发射。

    请遵循以下应用手册中提供的指南、您不应遇到符合 CISPR 32 B 类要求的任何问题。 谢谢。

    如何通过 ISOW7741满足 CISPR 32辐射发射限制


    此致、
    Koteshwar Rao

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Koteshwar、

    我之所以使用 ISOW7841、而不使用 ISOW7741、仅仅是因为库存状况。

      我找不到任何 ISOW7741、但我可以找到一些 ISOW7841。

    回到我原来的问题、我可以集成 共模块。 我是否还需要铁氧体、或者 CMM 是模拟电流？

    最棒的

    体层器

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    Tomer、您好！

    感谢您分享更多信息、我理解您选择 ISOW7841的理由。

    与铁氧体磁珠(FB)相比、共模扼流圈(CMC)在所需频率下提供更高的噪声衰减/阻抗、因此、我们建议将 CMC 与 ISOW7841搭配使用。 对于大多数应用而言、只有 CMC 足以满足要求、并且不需要 FBS。 在极少数情况下、如果应用具有连接到测试设置的非常大的 PCB 或多根长导线、则可能会导致比通常更高的辐射、在这种情况下、CMC 可能是不够的。 根据观察到的发射频率、可能需要使用拼接电容器。 但首先、我建议考虑 CMC、构建电路板并进行测试。

    您可以参阅以下 E2E 帖子、了解有关 CMC 连接位置的详细信息以及一些示例器件型号。 如果您有任何问题、请告诉我、谢谢。

    https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/806938/isow7841evm-isow7841evm


    此致、
    Koteshwar Rao

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    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢你。

    这很有帮助。

    我看到了您提到的有关 CMC 的帖子。

    我不理解的一件事是 PCB 上 CMC 的方向-在原理图中看起来不错、但在 PCB 中旋转了90度油脂、或者只是这个特定的 CMC 占用空间？

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    Tomer、您好！

    我知道。
    创建的封装尺寸是为了适应 CMC 和 FB，而容量大于300mA 的 FB 的尺寸较大。 这就是为什么您主要看到器件每侧都有两个较大的封装尺寸、能够适应 FB、而这些封装又足够大、能够适应列出的 CMC。 您可以根据要评估的 CMC 选择封装。 谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    您好、Koteshwar、

    另一个问题-关于接地层。

    当使用 CMM 时，它会创建一条本地接地路径。

    在创建缝合电容器时、或者通常在 ISOW7841周围放置接地平面(如在 EVM 板中)时、我应该使用本地接地或整个电路的接地端、并且只需将 CMM 单点连接到这些接地端？

    谢谢、

    体层器

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、

    每侧的两个接地引脚应该连接到本地接地、还是仅连接到 VCC 和 VISO 附近的引脚？

    谢谢、

    体层器

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Tomer、您好！

    感谢您寻求进一步的澄清、以便更好地实施解决方案。

    [引用 userid="294708" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors/4435556 #44355556"]当创建缝合电容器或通常在 ISOW7841周围放置接地层(如 EVM 板中)时，我应该使用本地接地或整个电路的接地端，并且只需将 CMM 单点连接到这些接地端？[/引用]

    拼接电容器需要直接连接到器件 GND 引脚以抑制任何辐射、因此必须在器件引脚上形成的本地接地上实现拼接电容器。 该接地不应与任何其他系统接地重叠、否则可能抵消因噪声耦合而产生的 CMC 影响。

    [引用 userid="294708" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors/4435607 #4435607"]每侧的两个接地引脚应连接到本地接地、还是仅连接到 VCC 和 VISO 附近的引脚？

    两个 GND1引脚在内部短接、因此还需要连接到同一本地 GND 平面、以便提供到所有内部电路的最佳连接。 GND2也是如此。

    如果您有任何其他问题、请告诉我、谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Koteshwar、

    这很有帮助。

    由于空间狭小、我不能选择拼接电容器(我只能上升到大约6-7 pF)。

    但是、如果我使用 CMM 后理解正确、则所有周围的接地平面都显示为本地接地、并且与一般接地平面的连接应仅与 CMM 引脚正确吗？

    此外、我不使用 IN2/OUT2和 IN3/OUT3 -是否应该将它们保持悬空(两侧)或将它们接地？ 如果建议将其接地、我应该将其两侧或仅连接到内侧？

    谢谢、

    体层器

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    Tomer、您好！

    请参阅下面的输入内容。

    [引用 userid="294708" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors/4436365 #4436365"]由于我的拼接电容器空间狭小，我似乎无法选择(我只能达到大约6-7 pF)。

    您是对的、由于水平空间受限、实现更高电容值的唯一方法是增加垂直尺寸或减小层厚度。 我知道应用程序可能会对这些参数施加一些限制、您可能会被限制在较小的拼接帽上。

    [引用 userid="294708" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors/4436365 #4436365"]但如果我使用 CMM 后理解正确，则所有周围的接地平面都将显示为本地接地，并且与一般接地平面的连接应仅与 CMM 引脚正确？

    您的理解是正确的。 如原理图所示、器件接地和系统接地只应通过 CMC 进行连接。 任何一个直接连接都可能在 CMC 之间造成短路并使其无效。

    [引用 userid="294708" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1177298/isow7841evm-adding-ferrite-beads-common-mode-chock-and-stitching-capacitors/4436365 #4436365">此外、我不使用 IN2/OUT2和 in3/OUT3 -是否应将它们保持浮动(两侧)或将它们接地？ 如果建议将其接地、我应该将其两侧或仅连接到内侧？

    请在下面找到我们关于未使用输入引脚的一般建议。 但对于您的应用、如果您将它们保持悬空状态是可以的。 谢谢。

    https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/732667/faq-can-unused-channel-pins-on-a-digital-isolator-be-left-floating


    此致、
    Koteshwar Rao