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[参考译文] SN6505B:此推挽驱动器是否需要添加缓冲器?

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6505B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1187362/sn6505b-does-this-pushpull-driver-need-a-snubber-to-be-added

器件型号:SN6505B

您好!

您是否同意其数据表中显示的 SN6505应用电路还需要添加二极管/TVS 来缓冲漏电感引起的过压?

内部 FET 的额定电压仅为16V、您是否同意将8V2 TVS /齐纳二极管和 DIOE 从 Vin 连接到每个内部瞬变的漏极?

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    此外、假设我要向400V 输入电压全桥转换器添加高侧驱动电源。 我是否能够使用基于 SN6505的转换器实现该目的?

    您是否同意 SN6505 数据表中的这些 wuth 变压器在这种情况下可能具有太多的绕组间电容?

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    您好、Andrew、

    请注意、今天是我们美国团队的假日、我们的专家将在明天查看并与您联系。

    最棒的
    Michael

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    尊敬的 Andrew:

    感谢您的联系、请参阅下面我的输入。

    [引用 userid="543292" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1187362/sn6505b-does-this-pushpull-driver-need-a-snubber-to-be-added ]您是否同意其数据表中显示的 SN6505应用电路还需要添加二极管/TVS 来缓冲漏电感引起的过压?

    我假设您在问我们是否需要使用缓冲电路来运行器件。 推挽式拓扑不需要任何缓冲电路即可运行、SN6505也是如此。 可以在 D1/D2引脚或次级二极管上使用 RC 缓冲器、以抑制任何振铃、从而提高 EMI 性能、我认为通常不需要。

    [引用 userid="543292" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1187362/sn6505b-does-this-pushpull-driver-need-a-snubber-to-be-added "]内部 FET 的额定电压仅为16V、因此您同意8V2 TVS /齐纳二极管和 DIOE 应从 Vin 连接到每个内部瞬态的漏极?[/quot]

    由于最大输入电源为5.5V、并且来自输出的反射电压也将降压、因此我们不会将其作为 D1/D2引脚上的问题。 在这方面我们没有任何问题。

    [引用 userid="543292" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1187362/sn6505b-does-this-pushpull-driver-need-a-snubber-to-be-added/4473135 #4473135)]此外,假设我要向400Vin 全桥转换器添加高侧驱动器电源。 我是否能够使用基于 SN6505的转换器来实现该目的?

    基于 SN6505的电源可用于为高侧驱动器供电、请参阅以下示例参考设计、该参考设计使用 SN6505B 为三相逆变器的所有6个栅极驱动器生成电源。

    https://www.ti.com/tool/TIDA-00446

    [引用 userid="543292" URL"~/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1187362/sn6505b-does-this-pushpull-driver-need-a-snubber-to-be-added/4473135 #4473135"]您是否同意 SN6505 数据表中的这些 wuerth 变压器在这种情况下可能具有太多的绕组间电容?

    我看到一些变压器的绕组间电容约为15pF。 我不确定这是否是您的应用的问题、但我们没有从任何客户那里听说过这是他们的问题。

    如果您有任何其他问题、请告诉我、谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao