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https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/641165/isow7842-isow7842-radiated-emission-failure
大家好、我在我的设计中使用 ISOW7842 、因此我的产品未通过辐射发射测试。 在大约66MHz 频率下具有非常高的发射率。
是否有人能帮助我降低辐射水平 以通过产品？
这是一个熟悉的故事。
我正在使用 ISOW7841、尽管采取了 ISOW784x 器件应用手册中建议的几个步骤、但在65MHz 下仍无法通过 CISPR11 B 级测试。
我在 A 级也发生了故障、但向隔离器的输入和输出电源添加了共模扼流圈、并向电源和接地连接添加了铁氧体磁珠、如注释中所示、这大大降低了辐射噪声。
我发现降低 B 级以下噪声的唯一方法是 ISOW7841上方(甚至更下方)的导电屏幕。 屏幕不必接地或延伸到离隔离器很远的地方即可有效工作。 遗憾的是、将其整合到生产单元中会很棘手、产品在塑料外壳中采用双重绝缘。
监听器探针表明器件上方有一个杂散磁场。 水平环路会在芯片上方产生峰值、而垂直环路会在芯片上方产生零值、两侧都具有峰值。 我假设这是来自功率传输器件(变压器？)。 我还将尝试使用铁氧体板在芯片周围制造某种磁性电路、以查看它是否起作用、但导电屏幕现在看起来很受欢迎。
如果有人有其他想法,请你芯片…
您好、Koteshwar、
感谢您的建议、我会尽快尝试这些铁氧体。
不过、我对筛查的有效性很好奇。 如果我用铝箔覆盖 ISOW 顶部、则排放量会显著降低。
您能为此建议一种机制吗？ 我想尽量避免使用屏幕，所以如果它能正常工作，更好的过滤效果会很有吸引力
遗憾的是，仅 ISOW7841并不是产品的组成部分。。
谢谢、
Alex。
我还尝试了铁氧体磁珠、但未看到发射水平有任何改善。 甚至我尝试了不同的去耦电容器组合。
您能不能建议采用其他方法来降低排放水平。
Koteshwar、您好！
我已经重新访问了第7节、并注意到 ISOW7841/7842的测试板位于与屏幕对齐的盒子顶部。
我认为这为芯片提供了一个部分屏幕、与放置在桌子上的电路板相比、这将减少辐射。
我们的产品没有导电外壳、因此在测试中无法重现测试设置、而无需以某种方式添加屏幕。
感谢您对此感兴趣。
我必须承认、我认为在65MHz 时、拼接电容不会成为一个因素。 在 SLLA386图10中、有和没有拼接电容的两种情况之间在60MHz 下的发射似乎没有差异。
在我们的设计中、接地层之间有一个220pF 的 tht 电容器。 此部件的 SRF >100MHz，因此我希望它在65MHz 时仍然非常有效。 图10仅显示了200MHz 以上拼接电容的影响。
我知道图14中的盒子顶部没有箔片、但盒子的内衬必须与 DUT 只有一到两毫米、对于 DUT 的一侧仍然是一个非常有效的屏幕。
您的、
Dan、您好！
感谢您的跟进。
我在星期一有一个经过修改的电路板进行了预合规性测试。
除了已经出现在电路板和 ISOW 电源上的所有电缆连接上的铁氧体磁珠外、我还向 ISOW 的所有信号线路添加了铁氧体磁珠。
我还有一个案例、如果无法解决问题、可以进行筛查。
当我得到结果时，我会报告...
从我们的预合规性测试到 B 类测试、我得到了结果
在 ISOW7842两侧的所有信号线路中添加铁氧体磁珠没有显著的区别、65MHz 时、我们仍然会使 B 类故障大约3dB。
在 ISOW7842上方和下方添加两个屏幕区域会有所不同、并使我们实现了通过、但没有裕度。
这些屏幕大约为50x50mm、未接地或连接在一起。
我需要在65MHz 下进一步提高3dB 才能实现安全通过、任何建议都将受到欢迎。
