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器件型号：ISOW7841 降级器、
我们的产品是 EV BMS 主板、使用 ISOW7841隔离 SPI 信号。
对于 ISOW7841、我们使用5V 输入电源运行；对于 EMI 测试、我们通常测试 RE、结果在238M 频率下是不良的、大约为60dB、大于正常值38dB。我们研究了 SLLA368A 文件、因此有3个问题：
- 如果使用 Y2 CAP、对238M 频率点的影响如何？如果可以、Pls 会向我们提供完整的器件型号。
- 如果使用扩展内部参考层来创建拼接电容、如下图所示、如何使用两个隔离 GND 层 GND1和 GND2 来创建拼接电容？SLLA368A 说过、使用 GND1和 VCC2、这是可以的？
- 要 计算 Ci、我们应考虑两个 GND1和 GND2的重叠区域、是否需要考虑 GND1层或 GND2层的自区域？
