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您好！
我有一个应用、其中 IGBT 的发射极未连接到接地电位(0V)、而是将其移至200kV、如原理图所示。 IGBT 的 VCE 为1000V。在基准电压提升至200kV 的情况下、可以使用正常栅极驱动器。
您好！
我有一个应用、其中 IGBT 的发射极未连接到接地电位(0V)、而是将其移至200kV、如原理图所示。 IGBT 的 VCE 为1000V。在基准电压提升至200kV 的情况下、可以使用正常栅极驱动器。
尊敬的 Don：
感谢你的答复。 由于我对200kV 的电压非常怀疑、因此我将基准电压降至30kV。 连接电路如下所示。 在使用移位接地基准构建此类电路时、您是否认为应考虑任何特殊的设计注意事项？
您能否告诉我 TI 提供的数字隔离器的最大隔离能力是多少？
此致、
Getsy
您好、Getssy、
我们额定值最高的数字隔离器为5.7kVRMS。
有关我们的隔离器的更多信息、请访问： 
