This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] SN6505B-Q1:输出电压公式和输入电流

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6505B-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1336976/sn6505b-q1-output-voltage-equation-and-input-current

器件型号:SN6505B-Q1

您好!

我想在300mA 的负载电流下将3.3V 升压至5V。 我想估算 LDO 在最坏情况下的输出电压或最坏情况下的输入电压以及满载条件下的输入电流消耗。 您是否有相同的公式? 如数据表中所述、我想将 Wurth 750316029用作推挽式变压器。

此外、  

下图中所述的输出电压也是肖特基二极管压降或整流二极管前的二次电压?

谢谢。此致、

Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    感谢您与我们联系。

    数据表提供了一个用于计算匝数比的公式、该公式使用最坏情况参数来确定最坏情况测试条件下的匝数比。 请参阅产品说明书中的公式(10)、该公式也复制如下、其中 VO 最大值和 ID-max 是最大输出电压和输入电流。 可以使用此公式在估算 Id-max 后计算 VO max。

    假设最坏情况下的效率为85%、ID-max 可估算为:ID-max = VO * IO /(VIN * Eff)= 5V * 300mA /(3.3V * 0.85)= 535mA。 您可以将此值代入公式(10)以计算 VO max。

    下图中提到的输出电压考虑肖特基二极管压降或整流二极管前仅考虑二次电压?

    整流器二极管之前的电压为脉动直流电压、因此未在数据表中提及。 图中显示的电压是整流和滤波之后的最终输出电压。 谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Koteshwar、

    感谢您的答复。 我想计算整流后变压器的最大输出电压、 我假设等式(10)中的 LDO-max 是指 VO 的最大输出电压(基于示例& eq -11)。 您能解释一下吗?

    此外、

    您是否具有用于获取图6-27结果的整流二极管部件号? 我相信图6-27中考虑的整流器二极管在25°C 时的正向压降。 由于我要在-40°C 至+125°C 温度范围内进行最坏情况的计算、因此我需要这些信息。 因此在任何情况下、我所选的 LDO (LP3869x/-Q1)都不会超出稳压范围、即使是整个温度范围内的300mA 也不会超出稳压范围。

    此致、

    Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    感谢您的回复。 我想计算整流后变压器的最大输出电压、 我假设等式(10)中的 LDO-max 是指 VO 的最大输出电压(基于示例& eq -11)。 您能否澄清同样的问题?

    抱歉、我应该已经澄清了。 整流后和 LDO 后电压之间的唯一差异是 LDO 上的压降 VDO-max。 请使 VDO-max = 0V 或从公式中删除此值、计算值应为整流后的输出电压。 下图以图形方式在原理图中找到了所有这些电压参数。

    您是否知道整流二极管的部件号用于获取图6-27中的结果?

    我理解要求输入二极管器件型号的原因。 所有输出电压和效率曲线都是使用默认 EVM 配置捕获的、该配置使用二极管1N5819HW-7-F。 谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Koteshwar、

    感谢您的答复。 我对等式10有几个相关的问题。 我认为、该公式中不考虑漏电感、变压器的绕组直流电阻和直流/直流转换器内部 MOSFET 的开关损耗。 如果为真、我可以预计输出电压会有多大变化?

    此致、

    Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    感谢您继续回答其他问题。

    方程式中的变压器校正因子(添加为1.031)已经补偿了绕组直流电阻。 产品"IDmax * RDSmax"涵盖了内部 MOSFET 中发生的传导损耗。 而漏电感和开关损耗不直接影响输出电压、而是影响整体效率。

    这就是为什么这些参数不包含在输出电压/匝数比公式中的原因。 谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Koteshwar、

    感谢您提供的信息。 您是否有关于驱动器中功率损耗的任何信息? 我想计算输出电流为300mA 时驱动器中的功率损耗。

    此致、

    Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    是的、可以使用漏极电流(ID)和 RDS (ON)计算器件中的功率损耗。 您可以使用以下公式计算器件 SN6505B-Q1

    PD = ID (avg)*[RDSmax ^ 2]

    其中 ID (avg)是平均输入电流、Rdson 最大值是数据表中的最大 RDS (on)值、即0.31Ω。 ID (avg)为~630mA (=匝数比*输出电流= 2.1* 300mA)。 谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Koteshwar、

    感谢您的答复。 我已经按照上面提到的公式计算了功率耗散。 我唯一改变的是,   我没有考虑0.31Ω 为 RDS(ON),我考虑 0.31*1.7= 0.527Ω 为计算。 数据表中提到的 RDS (ON)是在室温下测得的、因此它会随着温度的升高而增加、我想计算105摄氏度环境温度下的损耗。 因此传导损耗= 0.31*1.7*630=209mW。 然后、我借助 结至环境热阻= 137.7 °C/W 计算了器件的功率耗散。                         105环境条件下的功耗=(130-105)/137.7 = 181mW。 我考虑了130摄氏度的结温、因为数据表显示最低热关断温度为135摄氏度(5摄氏度裕度)。 这样看起来像是在630mA 的输入电流下、器件会处于热关断模式。 我的理解是否正确? 如果为真、则可能必须为我的应用选择不同的驱动器 IC。 您能否推荐一些其他能够处理700mA 输入电流的 TI 驱动器?

    此致、

    Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    感谢您提供宝贵意见。

    请注意、只有中间一列中指定的典型值才是在25°C 条件下测得的值(请参阅以下数据表屏幕截图)。 考虑到温度变化和器件间变化、最小/最大值是最坏情况下的值。 因此、我不希望 RDS (ON)超过0.31Ω。

    我还要指出的是、当 VCC = 2.8V 时、0.31Ω 是0.25Ω、当 VCC = 4.5V 时、它是 RDS (ON)。 当 VCC = 3.3V 时、我希望该值介于0.25Ω 和0.31Ω 之间。 因此、VCC = 3.3V 时的 RDS (ON)不应超过0.31Ω。

    使用我在上一篇文章中分享的等式、0.31Ω 在630mA 电流和 RDS (on)下的功率损耗或功耗为61mW。 您在计算功率损耗/损耗时可能错过了电阻的平方。 在61mW 功率耗散的情况下、环境温度和结温之间的差异将是8.4C (= 61mW * 137.7C/W)。 这意味着、当环境温度为105°C 时、结温将仅为113.4C。

    另请注意、如数据表中所述、最小热关断阈值为154C。 在温度达到154C 之前、器件不会进入关断状态。 器件关断后、需要低于135C 才能退出关断。

    我希望这有助于澄清,谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Koteshwar、

    感谢您的答复。 您是否知道内部 MOSFET 的器件型号? 因此我可以将其保留为用于分析的参考、也可以用作显示 RDS 随温度变化情况的图。 此外、我认为传导损耗=(ID)^2 * RDS、而不是  ID (avg)*[RDSmax ^ 2]

    此致、

    Manoj.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manoj:

    感谢您的输入、抱歉、功耗应该是"I^2 * R"、从我角度来看这是一个很愚蠢的错误。 通过校正计算、功率损耗或耗散将为123mW (而不是61mW)。 环境温度与结温之间的温差将为17C (而不是8.4C)、当环境温度为105C 时、结温将为122C。 由于122C 远低于最小热关断阈值154C、因此该器件应该适用于您的应用。

    您是否知道内部 MOSFET 的器件号[/报价]

    抱歉、内部 MOSFET 是芯片级实施、而不是分立式 MOSFET。 因此、此 MOSFET 不能用作分立式元件。 而且没有 RDS (on)与温度的关系图。 因此、请使用最大值进行所有分析、这应该能够帮助您确定器件在这些区域是否可以安全运行。

    根据上面的计算、该器件似乎不应在您的应用中出现任何热问题。 谢谢、如果您有任何其他问题、请告诉我。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔