[参考译文] SN6505B-Q1：请求提供内部 MOSFET 信息。

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1280957/sn6505b-q1-requesting-to-provide-the-internal-mosfet-information

器件型号：SN6505B-Q1
主题中讨论的其他器件： SN6505D-Q1

您好、TI 团队、

申请提供 SN6505B-Q1 IC、内部 MOSFET 信息、即栅极电荷、上升和下降时间、以便计算 MOSFET 功率损耗、这将有助于我们的设计。

此致、

瓦姆西·班库鲁

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2374080 points

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您好 Vamsi、

感谢您的联系。

栅极电荷
1. 输出级 FET 的栅极在器件内部、因此不容易获得此信息。我认为与 D1和 D2 (功率 MOSFET 的开漏输出)相关的规格在您的设计中会更有意义。您可以在第6.5节中找到详细信息(如下所示)。
上升和下降时间-压摆率。
1. 在该数据表中、它们被称为压摆率。更多信息请参阅表6.5。
功率损耗
1. 变压器驱动器的效率取决于变压器和整体系统设计。您可以通过使用推荐的变压器之一测量6.8典型特性 SN6505B-Q1或 SN6505D-Q1的效率结果。
2. 9.2.2详细设计过程也提供了一些有关变压器效率的信息。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

此致！
安德鲁

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2374080 points

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Andrew、您好！

您能否尽快提供 SN6505B-Q1 IC、内部 MOSFET 信息、即栅极电荷、上升和下降时间、因为它当前不可用。

此致、

瓦姆西·班库鲁

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2374080 points

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您好 Vamsi、

我们不提供该确切信息。数据表中提供的信息是我们所有可以公开提供的信息。

我已经在上面的答复中提供了我的意见。如果您对我的回答有疑问、欢迎随时跟进。

此致！
安德鲁

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2374080 points

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Andrew、您好！

您能否通过将此打开的查询转换为我的邮件来跟进。

此致、

瓦姆西·班库鲁

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2374080 points

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您好 Vamsi、

很抱歉、您对此感到困惑。我的初始回复中说明我已向您提供了有关栅极电荷以及上升和下降时间的问题信息、如果可能、请查看并跟进此处的其他问题或信息。

为了方便起见，我引述了原答复中有关闸极电荷及升降时间的部分：

Unknown 说：

栅极电荷

输出级 FET 的栅极在器件内部、因此不容易获得此信息。我认为与 D1和 D2 (功率 MOSFET 的开漏输出)相关的规格在您的设计中会更有意义。您可以在第6.5节中找到详细信息(如下所示)。

上升和下降时间-压摆率。

在该数据表中、它们被称为压摆率。更多信息请参阅表6.5。

[/报价]
让我知道您的输入。

此致！
安德鲁

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[参考译文] SN6505B-Q1：请求提供内部 MOSFET 信息。