[参考译文] UCC20225：在直流电机全桥应用中为 LM5106芯片组使用 UCC20225的可行性

您好！

乍一看、没有什么东西会阻止此驱动器在此应用中工作。 这是隔离式栅极驱动器的典型原理图配置。 低侧通道 B 连接到12V 电源轨、而高侧由自举电源供电。

栅极电阻器会因过热而受损。 我有几个问题可以帮助您更好地了解该问题：

• 这是否在任何正常运行条件下发生(例如、在栅极驱动器仅在未对功率级施加任何高压的情况下开关 MOSFET 时进行低压测试)、或者是否在特定的资质认证测试(例如任何高压运行测试)期间发生？
• 是否仅外部栅极电阻器受损或栅极驱动器也受损？
  • 栅极驱动器的内部上拉和下拉 MOSFET 也会由于开关损耗而出现一定程度的发热
• 您是否能够分享您正在驱动的 MOSFET 的器件型号？
• 您的开关频率是多少？

此致、

安迪·罗布勒斯

感谢您的热情响应、Andy Robles。
1.应用 PWM (16.4kHz)后、电阻器变热。

 自然、当 OUTA 和 OUTB 输出连接到 MOSFET 的栅极时会发生这种情况。

2.栅极驱动未损坏。

但是、尽管确切原因尚不确定、但我更换了高侧和低侧的 MOSFET、因为它们出现了故障。

我正在使用的 MOSFET 的器件型号为 NVMFS5C628NL。

如果您可以建议可以推测的可能原因、
我会认真地尝试它们。

谢谢你。

您好！

这是一个较慢的开关频率。 根据应用条件、我不会希望电阻器或栅极驱动器过热。

• 这是否会在您每次运行栅极驱动器时发生(可以始终复制)？
• 系统上是否有多个栅极驱动器并且它们都显示了问题？
• 您是否测试了多个系统？

此致、

安迪·罗布勒斯

尊敬的：

在深刻思考了你提到的几点之后,我有一个问题。

目前、电路板的电源配置有一个公共接地(GND)。

电压为+3.3V、+12V 和+28V (对于外部 MOSFET)。

我想如果 GND 和 VSS 共同连接、是否会有任何问题？

根据我的经验、即使将 GND 绑定在一起、热耗散问题仍然存在。

如果不是、我是否应该使用类似于 SN6505的芯片组完全隔离电源？

期待您的答复。

谢谢。

您好！

驱动半桥时、如果通道 B 用于驱动低侧、则可以将低电压侧的 GND 与 VSSB 连接。

如果驱动高 MOSFET、通道 A 电压电源需要是隔离式电源、但根据您的原理图、您使用的是自举电源、这是栅极驱动器的有效隔离式电源。

这应该不会导致问题。

我可以提供对电路板进行布局审查、看看我是否注意到任何可能导致此问题的因素。 栅极驱动器部分的所有层的截屏应该就足够了。

最后、请回答我上一篇文章中的最后一个问题、以便更好地理解该问题：

• 这是否会在您每次运行栅极驱动器时发生(可以始终复制)？
• 系统上是否有多个栅极驱动器并且它们都显示了问题？
• 您是否测试了多个系统？

此致、

安迪·罗布勒斯

感谢您的回答。

我将在下面答复：

1. 没错。 只要向栅极驱动器施加 PWM 信号和禁用(低电平)信号、就会发生这种情况。
2. 没错。 安装了4个栅极驱动器。 它们都出现了相同的问题。
3. 目前、我们只检查了一个系统。

下面是该板的布局。  

画面太小,所以我不知道你是否能清楚地看到它。

我无法找到错误的位置。

我希望您看到我没有看到的内容。

感谢您的答复。

您好！

回顾原理图、两个 MOSFET (R10和 R17)的栅极到源极之间似乎有1.5欧姆电阻。 这种低阻抗连接会导致大电流继续流过外部栅极电阻、从而导致栅极驱动器导通期间过热。

我们通常看到10k 欧姆的栅源电阻器、其作用是在系统完全断电以使 MOSFET 关断时将栅极下拉至源极。

• 您能否将这些电阻器更改为10k 欧姆？

此致、

安迪·罗布勒斯

尊敬的： 安迪·罗布勒斯

你的评论是正确的,我钦佩。
未发现其他问题。

但是、我想知道从哪里可以在数据表中找到 RGS 值。
如果可能、我们希望为系统确定一个更合适的值。

目前测量的是噪声、如下图所示。

请提供您对我们如何改善这种噪音的宝贵意见。

期待您的答复。

此致、

钟熙