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[参考译文] ISOW7742:建议铁氧体磁珠 EVM 和数据表不同、已请求反馈

Guru**** 1818760 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7742
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1368957/isow7742-recommendation-ferrite-beads-evm-and-datasheet-differ-feedback-requested

器件型号:ISOW7742

工具与软件:

尊敬的 ISO 团队:

我的客户有以下问题、您能对此进行评论吗?

我有一个(非常具体)关于 ISOW7742的问题。 数据表建议在非隔离侧的电源轨(和 GND)中使用330 Ω 铁氧体磁珠。 在 EVM 及其文档中、这些元件替换为1500 Ω 铁氧体磁珠。 两个文档在隔离侧均使用330欧姆铁氧体磁珠。 非隔离侧的差异让我感到好奇。 建议的值是否较高? 我们是否还应该获取该值? 这可以抑制 EMC 辐射。 是否存在振铃危险?

EVM 数据表和文档之间的另一个区别是 VIO 和 VISOIN 使用0.1 µF 电容器、而不是0.01µF 电容器。 是为了稳定性还是出于 EMC 原因?

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    选择铁氧体磁珠取决于您期望看到的频率下的噪声大小。 隔离器可能会用于噪声比平时多的环境(内部直流/直流转换器也会产生一些噪声)、但330 Ω 只是一般性建议。 (请注意、差分磁珠在100 MHz 以外的频率下具有不同的阻抗。)

    振铃不太可能、但这在很大程度上取决于电路板的特性。 找到正确的磁珠可能需要测试和实验。 (可能存在一组可以接受的值。)

    去耦电容器的确切值不是很重要;更重要的是芯片的低阻抗连接、即短布线和小型(低电感)封装。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Frank:

    感谢您的联系。

    yulan huang 说:
    EVM 数据表和文档之间的另一个区别是 VIO 和 VISOIN 使用的是0.1 µF 电容器而不是0.01µF 电容器。 这是出于稳定性还是出于 EMC 原因?

    由于 VIO 和 VISOIN 为器件的数字隔离器部分供电、因此0.1µF 应足以为器件提供所需的瞬态电流。 或者、使用1µF + 0.01µF 也应该足够。 这两个选项都可最大限度地减小输入端的纹波、从而避免 EMC 问题。 谢谢。


    此致、
    拉奥·科特什瓦尔