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[参考译文] ISOW1412:用于参考设计的 Altium 文件

Guru**** 1783340 points
Other Parts Discussed in Thread: ISOW7741DFMEVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1406693/isow1412-altium-files-for-reference-design

器件型号:ISOW1412
主题中讨论的其他器件:ISOW7741DFMEVM

工具与软件:

您好!

我还希望收到参考设计的 Altium 文件。

在数据表布局示例中、它指出10nF 和1uF 去耦电容器彼此之间(边缘到边缘)应具有2-4mm 的距离、但在参考设计布局中、该距离看起来不是那么长。 我不知道距离是否关键。 另外、在该参考设计中、10nF 电容器似乎位于相关的 IC 焊盘上、这很有趣、表明从 IC 焊盘到10nF 电容器的距离至关重要。 有任何意见吗?

 对比  

谢谢!

Olli-Pekka

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Olli-Pekka:

    感谢您联系我们。

    10nF 和1µF (或10µF)之间2mm 至4mm 的距离有助于将效率提高约1%、并且没有其他影响、因此、此间距不重要。 我们绝对不希望间距增加到超过4mm、否则可能会影响电源电压纹波。 请参阅下面来自有关此主题的应用手册(链接如下)的片段。

    ISOW7741如何满足 CISPR 32辐射发射限值

    我还要附加 ISOW7741DFMEVM 的光绘文件以供您参考。 谢谢。

    e2e.ti.com/.../INT130A_5F00_Gerber_5F00_NCdrills_5F00_IPC.zip


    此致、
    Koteshwar Rao