[参考译文] LM5180：数据表

您好、Youhao、

感谢您的大力支持。

抱歉、我没有清晰地描述该问题。

关于第一个问题,我不明白等式15,其中 NPS=3(基于 D= 60%),TOFF-MIN=450ns(  计算 D≥84.25%)、请看下面的快照。

我的理解是、磁化电感计算基于以下  分步公式、TOFF-MIN 只是一个要仔细检查占空比的限制值(toff =(1-D)/Fsw)、但不能用于计算 磁化电感。  如果我错了、请更正我。

关于 第二个问题、非常感谢大家分享参考文档、问题得到了解决。

问题3、 TBH、我想推导出 公式以更好地理解它们、您能否提出一些建议来研究公式18、公式 22、公式  24.

问题4、我正在为 MOSFET 驱动器准备隔离式 PSU、输入电压范围为8V 至20V、输出为20V&0.15A、关于该设计、您是否有任何推荐的直流/直流转换器？

此致  

海龙

嗨、Hailong、

公式(15)关于次级电路：次级 电流脉冲持续时间应 大于450ns。 这是正常运行的最短持续时间。 请注意、IC 会检测次级绕组电流结束时的输出电压。 即次级电流下降零时的电流。  为了获得精确的感应并因此实现良好的输出电压调节、IC 需要时间来为感应时刻做好准备。 准备好进行 Vout 检测的最长时间为450ns。  这意味着次级电流的流动时间不应短于450ns。   

当次级流过时、电流从峰值电流线性衰减。  最短的持续时间与最小峰值电流有关、最小峰值电流为 IPK_FFM、初级侧为0.3A、次级侧转换为0.3A * NPS。  

次级电感为 Lmag * Nps^2。  在计算电感器电流持续时间 V/L * 450ns 时、您将得到公式(15)。   

关于问题3、 我需要更多关于 Cout 和 Cin 公式的时间。  对于 Iout (Max)、它 由初级 IC 峰值电流决定。  将其转换为次要峰值、次要峰值为 Ipkmax * NPS。  这是另一个三角、次级电路的 BCM 时间持续时间为(1-D) 、您可以获取平均输入电流。  

IIN = ISW_pk* 0.5 * D

占空比= Vout/(Vout + Vin / NPS)

引脚= Iin * Vin

PO =引脚* Eff

计算它们、您将得到公式18。

请等到下周再了解如何获取其他两个公式。  我同时建议您查找电力电子技术教材、以便更深入了解反激式转换器参数的基本计算。  

关于您的问题4。 LM25180应该非常合适。 请使用我们的设计计算器帮助您进行设计。

谢谢！

Youhao

您好、Youhao、

感谢您的大力支持。

关于问题1、我再讲另一个问题。

由于 NPS=3是 公式(15)中的一个因素,这意味着 dmax=0.6是固定的,见公式 (14)。

(min)= 450ns 是 等式(15)中的另一个因素、因此、FSW>（1-d)/TABS=(min)(1-0.6)/450ns≈889kHz、但最大开关频率为350kHz。

即使占空比 在最大开关频率为350kHz 时增加到 D=84.25、请参阅以下计算、但目标 Vout=5V

根据以下计算、在 FFM 模式下、Ton 应非常低、这意味着占空比降低以减少能量。

因此、 使用 公式(15)计算磁化电感没有意义。 如果我错了、请更正我。

关于问题3、  

与您的计算相比、 Vd 会被忽略。

VD 出现在上面的其他方程中,突然消失,没有 任何通知,这让我怀疑我的计算。

我知道一些 因素在近似计算中会被忽略、例如 Vds (on)、VR (sen)、与数据表中从未出现的 Vin 相比、这些因素太低。

众所周知、 近似计算和 WSC  对元件有不同的影响。

此致

海龙

嗨、Hailong、  

抱歉、我认为您对这款 PSR 反激式转换器的工作原理有一个错误的概念或理解。  您得出的结果基于常规固定频率反激理论。  在350kHz 频率下、关断时间不再是450ns。   

我的同事发表了一篇文章、详细介绍了 BCM、DCM 和 FFM 三种不同的模式。  希望这可以帮助您澄清问题。

https://www.ti.com/lit/pdf/slyt779?keyMatch=PSR%20flyback&tisearch=universal_search

谢谢！

Youhao

您好、Youhao、

很抱歉、我仍然无法找到您的观点。

 您分享的说明如下、最大频率为350kHz、如果 Toff =45ns、您能指出相关的频率、占空比和 Toff 吗？

比较了 LM5180 (具有内置 MOSFET)数据表和 LM5185 (不具有内置 MOSFET) 数据表、类似的数据表和应用、但具有不同的磁化电感计算公式。  

快速短接源于 LM5185、 与我的错误概念或理解相同。

此致

海龙

您好、Hailong：

支持此线程的工程师已离开办公室、明天将回来解答您的疑问、感谢您的耐心等待。

David。

您好、Youhao

感谢您的大力支持。

是的、回答正确。 我将 "关断时间"与  下面描述中的"较高的死区时间"相混淆。

和谷电压感应导致的高频开关损耗。 即使 toff 时间超过450ns、也不会对 次级零电流检测产生任何影响。

请帮助澄清另一个问题。

如前所述、 LM5180 (具有内置 MOSFET、0.3A)和 LM5185 (不具有内置 MOSFET、20mV)是相似的转换器、但计算不同、如何理解？

LM5180数据表：磁化电感在 FFM 中计算。

LM5185数据表： 磁化电感以 BCM 为单位计算。

此致  

海龙。