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[参考译文] SN6501-Q1:EMI 测试报告

Guru**** 1955920 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501-Q1, SN6501, SN6505A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1401133/sn6501-q1-emi-test-report

器件型号:SN6501-Q1
Thread 中讨论的其他器件: SN6501SN6505A

工具与软件:

嗨、团队:

您可以发送 SN6501-Q1的 EMI 测试报告吗? 谢谢!

此致!

Ethan

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    尊敬的 Ethan:

    感谢您联系我们。 谢谢、请在下面找到 SN6501的辐射发射测试报告。

    e2e.ti.com/.../SN6501_5F00_Radiated_5F00_Emissions.pdf


    此致、
    Koteshwar Rao

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    尊敬的 koteshwar:

    感谢您的材料。

    是否使用我们的 EVM 测试了 EMI 报告? 我们的 EVM 似乎没有任何 EMI 设备。

    如果没有、您能否解释 EMI 报告中包含哪些电路板和 EMI 设施?

    此致!

    Ethan

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    尊敬的 Ethan:

    由于 SN6501的 EVM 具有多种设计(5个单元和5个变压器)、因此测试是在内部测试 PCB 上进行的。 此 PCB 与 EVM 中的原理图类似、没有 EMI 滤波器或其他元件。 因此、SN6501无需 EMI 滤波器即可满足发射要求。

    尽管内部测试 PCB 的结果看起来不错、但如果 PCB 尺寸更大或有许多电缆连接、则客户 PCB 上的发射结果可能会有所不同。 为了将辐射保持在最低水平、客户可能必须在其终端产品的输入/输出端子中采用 EMI 滤波器。

    我们还建议客户遵循以下应用手册中提供的指南、以保持较低的排放。 他们可能不需要所有这些建议、并且可能在没有任何这些更改的情况下满足其排放要求。 他们要么首先构建简单的 PCB、测试发射并继续进行最终设计、要么使用所有指南构建设计、然后测试发射。

    如何减少推挽式隔离电源中的辐射(修订版 A)


    此致、
    Koteshwar Rao

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    尊敬的  Koteshwar:

    感谢您的详细答复。 我们测试 SN6501EVM、当输入电压为3V 或4V 时、空载电流为3mA。 然而、当输入电压为5V 时、空载电流为10mA。 您是否知道如何降低5V 输入电压下的空载电流?

    Ethan

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    尊敬的 Ethan:

    基于 SN6501的解决方案的空载电流为预期电流。 这是由于开关损耗而消耗的总电流、而不是流入 SN6501本身的电流。 最大限度地降低开关损耗的唯一方法是减少开关次数、即降低开关频率。

    或者、客户可以考虑使用 SN6505A、它以低得多的开关频率(160kHz)进行开关。 谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao

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