[参考译文] ISO1211：ISO1211的 ESD 和快速瞬变/突发问题

您好、Iwan、  

感谢您联系我们。 我知道您查看了  数据表的第9.2.1.2.5节浪涌、ESD 和 EFT 测试中的信息、并发现输入在 ESD 脉冲小于数据表中显示的值(2kV)时发生故障。 首先、我要检查输入电阻器和 TVS 二极管上的浪涌额定值。  

• 请分享 TVS 二极管的器件型号。  
•  您测试的 ESD 标准和级别是什么？
• 您能否分享一个原理图？  

与 Cin 并联的额外电容可能用处不大。 但是、它可能会减慢或限制输入端的数据速率。  

此致！
Andrew

Andrew、您好

有关 ISO1211设计的一些额外信息。

R300和 R301电阻器的封装为0805、应适合耐受 ESD 和 EFT 脉冲。 (由于电缆长度的限制、不需要承受浪涌脉冲。)

TVS 二极管的封装为 SMA。 (认可部件：SMAJ33CA-H Bourns、Inc、 SMAJ33CA Taiwan Semiconductor Co.、Ltd. 、SMAJ33CA-TR STMicroelectronics N.V.、 SMAJ33CA Littelfuse、Inc.和 SMAJ33CA-TP Micro Commercial Components Corp.)

破坏 ISO1211的 ESD 脉冲(接触放电)根据 EN 61000-4-2进行施加。 振幅为+2kV 和+4kV 的 ESD 脉冲导致输入阈值电平发生显著变化、幅度为+6kV 的 ESD 脉冲导致 ISO1211受损。 符合产品说明书中的信息、这些不应该发生。

为提高有关计划的 ESD 脉冲和 EFT I 的设计稳健性、请执行以下操作：

-将已经实施的 TVS 二极管 D303直接连接到 STO+和 STO-之间(绿色路径在下图左上角。

-实现一个1nF 或470pF 电容器和一个1M Ω 电阻器从负输入(STO-)到接地电位。 (绿色组件)

问题：

-计划的重新设计是否是一个好的策略?

-根据数据表中的信息,为了优化浪涌行为,对地电容值不应超过500pF。 由于设计不一定要满足浪涌测试要求、因此允许使用更高的电容值、不是吗？ 这里是电容值的限制、分别是高于500pF 的接地电容器的影响。

-如果接地电容器必须小于500pf ,则需要分别实施与接地电容器并联的附加 TVS 二极管和电阻器。

此致

  Iwan

Andrew、您好

非常感谢您的反馈。 我会检查电阻器主题、可能会将标准电阻器替换为脉冲类型验证的电阻器。

您是否有关于接地电容值的信息？ 如果我实施一个2.2nF 电容器、涉及到信号性能和 EMC 行为、会发生什么情况？ (当前设计不需要高速信号转换或 信号切换低于1kHz。

此致

  Iwan