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[参考译文] SN74LVC1G07:SN74LVC1G07DBVR 因 PCN 通知而导致的热阻变化

Guru**** 2582155 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1569412/sn74lvc1g07-sn74lvc1g07dbvr-thermal-resistance-change-due-to-pcn-notification

器件型号:SN74LVC1G07


工具/软件:

尊敬的逻辑支持团队:

我们 Disty 已通知我们的客户 PCN#20250709002.1。
我们的客户询问为什么只有 DBV 封装发生显著变化。
请解释热阻发生如此显著变化的原因。
客户还推测、这是由于新流程实现了更小的芯片大小。

从修订版 AE(2020 年 9 月)更改为修订版 AF(2025 年 6 月)  
•将器件信息表更改为封装信息........................................................ 1.
•将 DBV 封装的结至环境热阻值从 229°C/W 更改为 357.1°C/W…… 5.
•将 DBV 封装的结至外壳(顶部)热阻值从 164°C/W 更改为 263.7°C/W……5.
•将 DBV 封装的结至电路板热阻值从 62°C/W 更改为 264.4°C/W… 5.
•将 DBV 封装的结至顶特征值从 44°C/W 更改为 195.6°C/W .................................................... 5.
•将 DBV 封装的结至电路板特征值从 62°C/W 更改为 262.2°C/W… 5.

谢谢、 此致、
Yuyama Hiroaki

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    您好、

    是的、这是由于芯片尺寸较小。

    此致、

    Ian

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    你好 LAN-SAN、

    感谢您的答复。

    据我所知、新 12 英寸晶圆的芯片尺寸有所减小。

    在其他逻辑产品的 e2e 社区中、热阻测量标准发生了变化。

    SN74LVC1G07DBVR 的测量标准是否已更改?

     此致、
    Yuyama Hiroaki

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    您好、

    我不确定。 我会询问我们的测试团队并告诉您。

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    你好 LAN-SAN、

    当我们在 Disty 计算热阻时、我们发现结温升高幅度很小。

    计算结果如下所示。
    我们来估算典型工作条件下的温升。
    CPD = 6pF (Vcc = 5V)
    VCC = 5V
    FI = 200MHz
    ICC = 10uA
    CL = 3pF T
    以下公式用于大致估算 CMOS IC 的动态功耗。
    这适用于独立的 IC、
    但必须考虑负载电容 CL。
    我们来计算功耗来估算温升 (Tj) 和 Δ ΔTj。
    动态功率耗散:
    (添加 CPD 和 CL)P (t+L)=(CPD+CL) x Vcc^2 x FI x 1 = 9pF x (5V)^2 x 200MHz x 1 = 0.045W
    静态功率耗散:
    PS = Vcc x ICC = 5V x 10uA = 0.00005W 总功率耗散 P (t+L)+ PS = 0.045W + 0.00005W = 0.04505W
    使用 DBV 封装的 Θ RθJB = Tj/W 时、264.4℃ 的增加情况如下:
    ΔTj = 0.04505W x 264.4℃ /W = 1.203℃
    因此、即使 RθJB 从 62°C/W 变为 264.4°C/W、Tj 的温升也可以忽略不计。

     此致、
    Yuyama Hiroaki

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    尊敬的逻辑支持团队:

    我们的客户有一个跟进问题。
    在针对 WAB 更改的 PCN 通知中、PCN#20250709002.1 仅提供 DBVR 封装的更改信息。
    其他封装后缀的热阻会发生变化吗?
    还是将来会发布 PCN?

    谢谢、 此致、
    Yuyama Hiroaki

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    您好  Hiroaki-san、

    我无法 在公共论坛上谈论潜在的未发布更改或文档。 我只能向您指出已经发布的内容。