[参考译文] SN74LVC2T45-Q1：SN74LVC2T45-Q1 异常电流消耗

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器件型号： SN74LVC2T45-Q1
主题中讨论的其他器件： SN74LVC2T45、

SN74LVC2T45-Q1 于 2017 年设计用于其中一款产品、并按预期将 3.3V MCU 信号转换为 5V 以驱动 MOSFET 电路。与 2026 年制造的电路板（经过 3 年休息后）的电流消耗相比、12mA 的电流消耗提高了~μ A。 SN74LVC2T45 会在电路处于非活动模式（即，驱动 SN74LVC2T45 IC 的 MCU 引脚处于不确定状态）时变热。一旦 MCU 开始驱动 SN74LVC2T45、电流就会降至预期值。

SN74LVC2T45 的最新 PCN 指明了“技术变革“。您能否详细说明这一变化包括什么？如果能够使这些 IC 在输入不确定的情况下更容易发生从电源到 GND 的漏电流？

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2847400 points

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尊敬的 Konstantin：

我们仍在研究这一点、不久将作出答复。

此致、

插孔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2847400 points

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您好 Konstantin、

通常、当器件经历晶圆厂变革（从 150mm 晶圆转向 300mm 晶圆）时、需要对所使用的技术进行更新。

由于我们使用的技术不同、因此一些方面会略有不同、例如器件未通电时的引脚阻抗/电压测量。但我们保证数据表中的参数值。此外、PCN 之前器件中使用的相同验证步骤也是当前的验证步骤。

现在、您的泄漏问题增加。具有 CMOS 输入结构的器件不应保持悬空（断开连接）。始终需要一个保持在 VCC 或 GND 的稳定逻辑电平。

我同意 PCN 之前的器件在某些条件下看起来更可靠。然而、原始 2010 数据表在“建议运行条件“中包含一个脚注、指出所有未使用的数据输入必须保持在稳定的逻辑电平以避免出现悬空条件

此致、

Josh

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