Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1306
部件号: MSPM0L1304
主题: MSPM0L1306 中讨论的其他器件
我在 Program Nonmain 进程中遇到问题。
我能够成功擦除 Nonmain、但在执行参考手册中指定的写入命令后、我读取 STATCMD 寄存器以检查 IC 的当前状态。
它返回 0x0000_0000。 我想知道如何解决这种情况。
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我在 Program Nonmain 进程中遇到问题。
我能够成功擦除 Nonmain、但在执行参考手册中指定的写入命令后、我读取 STATCMD 寄存器以检查 IC 的当前状态。
它返回 0x0000_0000。 我想知道如何解决这种情况。
您好、Monica、
也许我想您可以尝试使用我们 SDK 中的演示代码来对 NONMIAN 进行编程、在演示中、您可以添加代码来检查 STATCMD 值、使用一个变量直接读取该值、而不是在调试模式下读取寄存器窗口。
MSPM0-SDK 软件开发套件 (SDK)|德州仪器 TI.com
mspm0_sdk\examples\nortos\LP_MSPM0L1306\driverlib\flashctl_nonmain_memory_write
BR、
Janz Bai
尊敬的 Janz:
我需要完成 L1304 上非主区域的编程、因此我已经为此 IC 构建了最小系统、并正在使用 SWD 通信。 目前、我可以对闪存区域进行编程、而不会出现任何问题。 但是、我遇到了与 NON-MAIN 区域有关的问题。 擦除操作可以正常工作、但编程操作失败。 在您的 CCS 工程中、有一个名为`flashctl_nonmain_memory_write`的函数。 我在我们的系统中实现了相同的逻辑、但问题仍然存在。 在发出一系列命令(包括 CMDTYPE、CMDWEPROTNM、CMDADDR、CMDBYTEN、CMDDATA CMDEXEC 等)、我读取 STATCMD 寄存器以检查 IC 的当前状态。 STATCMD 寄存器仍读数`0x0000_0000`。 有人能解决这个问题吗? (作为参考,在对闪存区域进行编程时,STATCMD 寄存器的读数通常为`0x03`或`0x04`)
非常感谢、
Monica Pan