[参考译文] SN74LVC1G373：需要澄清。

您好：

我假定作者打算使用“清除“一词来表示允许锁存器再次在透明模式下操作（因此是 LE = HIGH）、但在所使用的术语中会有一些误导性。

我一直认为像'373 这样的 D 型锁存器的术语相当令人困惑。 “LE =锁存使能“对我来说、听起来好像高电平应该会激活锁存器、但实际上它正在禁用锁存器并允许数据通过。

为避免误解、在 数据表的第 13 页（您参考的应用部分前面的页面）上、器件功能模式表显示 LE 处于高电平将允许信号通过、LE 处于低电平将保持先前的状态 (Q0)、这是'373 D 型锁存器的行业标准。 请参阅 Nexperia 的数据表 （第 4 页）或 Onsemi 的数据表 （第 2 页）进行参考。

在同一页面上、请注意应用部分不属于器件规格、TI 不保证其 准确性 和完整性：

我知道您可能会觉得我的问题很傻。 我还是会问。

我不觉得你的问题愚蠢,会帮助尽可能多,我可以。

是否有任何其他器件消耗的电流低于 SN74LVC1G373YZPR？

否、恐怕 TI 没有另一个功耗比单个 CMOS 锁存器更低的锁存器。 如果你得到一个并且自己测试它、你会发现很难测量功耗、因为它消耗的电流很小--大多数测试人员只是读取噪音。

有两种电流消耗类型：工作电流和静态电流。 我的第一个 prioty 是当器件处于理想模式或不工作时的静态电流、因为 D 处没有输入 。

CMOS 逻辑中确实有两种类型的功耗、我们将它们称为 静态功 耗和动态功耗。 我有一个应用手册、其中详细介绍了该主题、位于： https://www.ti.com/lit/an/scaa035b/scaa035b.pdf

我指的是 器件的静态功耗、即在不切换输入时的功耗。 在大多数 LVC 系列单栅极中、电源非常低、除非您正在计算单纳安电流或在极端温度（例如：+125°C）下运行系统、否则您永远不会注意到电源。

切换输入时的功耗 动态 功耗由功率耗散电容决定、上文我链接的应用手册对此进行了详细说明。 如果您控制的是射频信号、信号链中该锁存器的功耗很可能可以忽略不计。 相比之下、大多数射频组件都消耗了巨大的功率。