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[参考译文] TXS0104E:低电平输出中TXS0104的RDS (接通)

Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: UCD3138

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/616212/txs0104e-rds-on-of-txs0104-in-low-level-output

部件号:TXS0104E
主题中讨论的其他部件:UCD3138

大家好,

请帮助您在 以下应用程序中模拟TXS0104的Ron值吗? 谢谢。

当R4=0R1=0R5=33欧姆R2=33欧姆R6=2千欧R3=2千欧VCCA=1.8VVCCC=3.3V,请在以下两种情况下帮助模拟RDSon的值:

 

1 驾驶员:系统控制,接收器:UCD3138。 容积(最大)=0.45V

2 驱动器:UCD3138,接收器:系统控制, 音量(最大)=0.25V。

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    您好,Lilian:
    我已经通知了最重要的应用程序工程师。 他很快就会回来。
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    Lilian,

    RDSon分析的原因是什么? RDSon计算可使用VOL vs Vil完成,指定电流通过晶体管内部,最终还将确定TXS设备的输出音量。
    通常,根据我所做的计算,TXS RDSon大约为25欧姆。 R3和10k内部电阻通过并联R组合将为器件产生2mA电流。
    通常不建议在TXS上进行外部上拉,因为它会提高输出处的音量。
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    Shreyas,您好!

    客户想要了解Ron,因为他们想要计算其应用电路上TXS0104基座的音量。  因此,如果我们能够帮助提供"典型容量",这将会更有帮助。

    客户使用外部上拉电阻,因为他们想要加速信号提升边缘。 这是客户想要了解其应用程序中的批量的另一个原因。

    正如您提到您计算的Ron = 25欧姆,我可以知道这是在什么应用下吗?   我们必须考虑到外部阻力。

    当R4=0,R1=0,R5=33欧姆,R2=33欧姆,R6=2千欧,R3=2千欧,VCCA=1.8V,VCCC=3.3V,请在以下两种情况下帮助模拟RDSon的值:

    1、 驾驶员:系统控制,接收器:UCD3138。  VA = 0.45V;

    2、驱动器:UCD3138,接收器:系统控制,Vp=0.25V

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    TXS使用MOSFET通过传输器;其RDS (接通)取决于温度和制造变化,但在其他情况下是恒定的(因此不取决于外部电路)。 Ω 值为 Ω μ A;数据表保证的最大值为250 μ A。

    TXS使用边缘速率加速器(它将10 kΩ 上拉短时间短路),因此无需使用外部上拉。
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    Lillian,

    我同意Clemens在这里的回答。 Vol= Vil + iPass*Ron。 Vol ~Vil,当iPass或Ron电压低时。在输出处有额外的上拉电阻,它会降低总电阻并产生额外的电流,这些电流会沉入系统控制, 提高系统控件的音量,增加TXS时的Vil和增加TXS的音量。
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    您好,Lillian,
    这实际上是TXS和TXB关于使用上拉电阻的一些常见问题。 RDSon未在任何一个数据表的数据表中指定。 我将很快计划一个应用程序备注。
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    Shreyas,您好!

    我找到了一个RDSon计算公式 ,如下所示:

    RDSon=1/(UN*Cox*W/L*(Vgs-Vth)),所以我认为这个RDSon与Vgs相关,这意味着与Vil相关?  我想 在这种情况下PMOS源电压是Vil。

    关于TXS的另一个问题是 ,当TXS 在 高电平输入 模式(数字“1”)下工作时   ,PMOS的状态是什么?  打开还是关闭?

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    VGS由输入端的电压和栅极偏压电路产生的电压确定(请参阅数据表中的功能方框图)。 与VIL没有直接关系。

    没有PMOS。 TXS在共栅配置中使用单NMOS通过晶体管。
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    您好,Clemens:

    我同意您的观点,即VGS由输入端的电压和栅极偏压电路产生的电压决定。 但为什么Vil (输入低电平电压)不意味着输入电压? 当客户应用中TXS的Vil=0.2V时,我认为这意味着输入引脚的输入低电平电压将约为0.2V。
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    您从哪里获得0.2 V值? (它既不显示在数据表中,也不显示在上面的描述中。)

    您是指VIL还是VI