• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 549 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] 具有12V，24V，40V的2V7逻辑开路漏极

admin
Guru**** 2538930 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/631863/2v7-logic-to-open-drain-with-12v-24v-40v

主题中讨论的其他部件：SN7.5471万

我正在寻找符合以下要求的设备

(1)低功耗(纳瓦特)

(2) SOT23或SOT70封装或类似的封装

(3) 125C/150C等级

(4)漏极开路输出，电压高达12，24，40或60V

(5)最小外部部件。

(6) 2V7逻辑信号(即MSP430)的稳定阈值。

(7)将电流从几毫安漏至50mA。它用于将信号拉至低电平，以关闭开关PSU

它听起来像比较器，但需要偏压来设置阈值以匹配2V7逻辑

2N7006K NMOS的问题，即阈值在-40C至150C之间漂移，哪个设备可能无法正常工作。  

我曾在TI网站上查看过，但无法找到解决方案。  

  • 0
    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    "2N7006K"？ 您的另一个问题提到2N7002K。

    无论如何，只需使用任何具有较低阈值电压的随机MOSFET，例如，许多BSS138型号具有VDS(max) 60 V，或使用BSS139来获得真正的高电压。

    (TI制造功率MOSFET，其测量单位为A，而不是mA。)

  • 0
    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好，Richard：

    请使用下面链接中的参数搜索，根据您的需求找到合适的比较器

    www.ti.com/.../products.html

    谢谢Tushar
  • 0
    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Richard：

    一种方法可能是使用逻辑接口复合达林顿驱动器设备(如SN7.5471万)或使用独立NPN晶体管制作自己的达林顿驱动器。 MOSFET输入端的分压器也可能起作用。

  • 0
    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的尝试，我现在找到了合适的MOSFET。

    我相信市场上缺少一个缺口，一个单栅极(或双栅极)低压GPIO输入(基于74LVC，缓冲器或NAND)，带有高电压开路漏电(高达100mA，60V)。 与离散MOSFET (-55C至150C)相比，这可提供更稳定的温度阈值。 SOT23/SOT70封装或类似的QFN封装。

    我最近将MCU的3V3降低到2V7，之后在2V5上也降低了。 更现代的IC不再在3V3系统上工作，而是从+5V移至较低电压(即AD7988-1，AD2174等)。

    R.