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[参考译文] SN74LV1T125:SN74LV1T125的MOS实施

Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LV1T125, SN74LVC1G34, SN74LVC1G07

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/641762/sn74lv1t125-mos-implementation-of-sn74lv1t125

部件号:SN74LV1T125
主题中讨论的其它部件: SN74LVC1G34SN74LVC1G07

计划在新程序中使用SN74LV1T125,作为其中的一部分,我正在寻找 此部件的MOS实现 ,以便连接外部逻辑

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    您好,Raveendra,
    欢迎参加E2E论坛!

    我不完全理解您的请求。

    您尝试将此部件与什么连接?

    最好用所需电路的示意图来描述这种情况,最好包括直接连接到设备的所有电源电压和部件号。 响应框右下角的"插入代码,附加文件等..."按钮允许向您的帖子添加图像和其他文件。
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    在FPGA驱动信号(配置为输出)的某些设计中使用FPGA和内存,并将此信号连接到信号类型为双向(IO)的内存设备。 我只希望从FPGA到内存的信号流,但不希望从内存到FPGA的信号流。 为了避免信号从内存流向FPGA,我正在寻找可以阻止的外部组件。 SN74LV1T125是否正常工作? 如果我使用SN74LV1T125,则当内存驱动信号时,SN74LV1T125的行为如何? 分析此功能,询问SN74LV1T125的CMOS实现。 希望现在就清楚
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    谢谢,我想我现在就明白了。

    SN74LV1T125具有推挽式输出实现,这意味着它将从本质上直接将输出连接到Vcc或GND,如果内存模块尝试驱动该线路,则会出现总线争用。 总线争用将导致两个设备中的电流过大,并可能导致损坏。

    您是否无法控制内存模块? 我的意思是,它是否只是随机地尝试将数据输出到您只尝试输入数据的端口? 这听起来很奇怪。

    如果您知道端口何时要切换(即系统具有内存方向指示灯信号),则可以将SN74LV1T125置于高阻抗模式,这样就不会出现任何问题。
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    感谢您的快速响应。
    FPGA将信号随机驱动到内存设备取决于某些SW条件。
    当存储器设备作为输入信号从FPGA接收时,存储器设备在某些操作中将处于繁忙状态,在此期间,它将输出相同的信号(自向存储器发送双向信号以来)作为繁忙状态。 我不希望输出信号从内存设备流向FPGA。 使用SN74LV1T125时,我能否通过短接1号引脚(OE\)和2号引脚(A)并连接到FPGA输出信号,4号引脚(Y)连接到内存设备双向输入信号来实现此功能?
    使用上述连接时,无论何时存储设备输出信号,是否存在任何信号争用并从VCC到GND获取更多电流?
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    按照您对连接的描述,SN74LV1T125将不能提高线性-从未如此。 当输入(A和OE\)变高时,输出将进入高阻抗模式,基本上断开设备。

    我建议只添加一个串联电阻器(1k至10k),并使用输出来保护它。 当存储器模块尝试将线路驱动到与SN74LV1T125不同的电平时,电阻器将限制电流并防止损坏任一设备(只要电阻器足够大,可以将电流限制在驱动器的最大电流值范围内)。 当存储器处于收发器模式时,电阻器不应导致任何问题,因为输入为高阻抗。
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    FPGA驱动的信号处于活动低信号状态,在将其驱动为高时无需担心。
    主要担心的是,每当内存设备驱动(低电平活动)时,只要它接收到来自FPGA的输入,就会出现信号争用,在这种情况下是否存在任何停止?
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    您是否试图说这条线永远不会开高? 这将是一个非常奇怪的逻辑系统。 这不是'active low'(低活性)的意思。 也许是我的误解?
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    FPGA驱动信号(仅限输出),具有两种状态逻辑0 (0V)和逻辑1 (5V) ,并连接到内存信号(IO)。 每当从FPGA接收到逻辑0信号时,内存都会执行一些操作,当它接收到逻辑1信号时,它不会执行任何操作。 当内存接收到逻辑0信号并且在此期间开始执行一些操作时,它希望发送与输出相同的信号 ,而我不想发送,并希望将此信号作为从内存到FPGA的输出阻止。  是否仍要使用TI的任何离散电路来阻止这种情况?

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    您好,Raveendra,

    以下电路将防止损坏FPGA和内存设备。 如果您需要电压转换,可选择SN74LVC1G34的电源以匹配内存模块,它将向下转换信号。

    当内存模块尝试驱动与SN74LVC1G34相同的线路时,10kohm系列电阻用于防止电流过大。

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    内存模块也是5V设备。在信号争用期间,建议在Aero应用中串联添加限流10K电阻器? 或者您是否建议使用TI的其它胶液逻辑器件?
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    没有设计用于保护推挽式输出免受总线争用的设备。

    要避免这种情况,或者制定变通办法(这是我在上面提供的内容),这是系统设计人员的决定。
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    已通过SN74LVC1G07,这部分看起来是FPGA和内存设备之间接口的最佳选择,因为我只对内存有源低输入感兴趣。 当内存作为输出发送时,此设备会进行阻止,因为它支持开放收集器。  有什么意见?

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    SN74LVC1G07具有漏极开路输出,这意味着它将强制内存设备处的线路处于低位。 如果内存设备尝试将线路设置为高,则两个设备都将受到损坏。

    我已经提供了正确的解决方案。
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    在FPGA驱动低信号期间,内存从不驱动高。  

    内存设备的内部上拉能力较弱,为100k,因此只有很少50微安的电流从5V (内存的)流到GND (当FPGA和内存同时驱动低信号时),持续时间短,例如低于5ms (应用要求)。最坏的情况。 这是否正确?

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    是的,没问题。
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    感谢您的支持