[参考译文] SN74LVC1G17：SN74LVC1G17

以下是类似系列(AHC)的设计师指南对电压峰值的评价：

必须避免输入电压大于7 V，以防止损坏输入级的栅氧化物。 这种损坏不一定是永久性的，但会对电路的预期使用寿命产生不利影响。 AHC器件的 Å 氧化物厚度仅为200 μ m。 7 V的输入电压相当于350 kV/cm的栅氧化物场强。 虽然预计氧化物的分解仅在输入电压高于10 V时发生，但在场强大于350 kV/cm时，电子会越来越多地进入栅氧化物，从而影响晶体管的特性并导致故障。

芯片的ESD保护设计用于处理制造过程中可能发生的放电。
典型的ESD放电是一个事件，但您的兆赫脉冲持续几微秒，听起来就像大量能量。

CR1/R101的用途是什么？ 如果是为了保护，则应该没有电阻器。

不管怎样，TS1的速度似乎不够快，或者钳位不够低。 我建议在TS1和U19之间添加一个约500至1000 Ω 的串联电阻器。