尊敬的 TI 团队:
感谢 TI 团队帮助确认、通过使用 Cext = 30pF 和电位器、可使用1k Ω 至100k Ω 的 Rext 生成 0.1us、0.2us、0.5us、1us、5us 和10us 的脉冲持续时间。
其他哪些因素可能影响脉冲持续时间的精度?
非常感谢您的参与。

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尊敬的 TI 团队:
感谢 TI 团队帮助确认、通过使用 Cext = 30pF 和电位器、可使用1k Ω 至100k Ω 的 Rext 生成 0.1us、0.2us、0.5us、1us、5us 和10us 的脉冲持续时间。
其他哪些因素可能影响脉冲持续时间的精度?
非常感谢您的参与。

如果器件的输出脉冲宽度发生变化、有五个因素会影响它们的宽度:
(1)电源电压
(2)外部时序电容、C_ext
(3)外部时序电阻器 R_ext
(4)温度
(5) 制造流程
1到4取决于您的系统、而5不取决于您的系统。
温度可能会导致器件的变化量高达2%、但通常情况下、电容器的温度系数最大、变化量最大(有些可能导致变化量大于100%)。
应用报告《使用 SN74LVC1G123单稳多谐振荡器进行设计(修订版 A)》包含此图、该图的配置与您正在考虑的配置类似:

电源电压变化 会导致 K 变化、而在3.3V 时、使用30pF 计时电容器时、K 相对较大、并且会显著变化。 我没有为该电容器/电源组合提供数据。 我建议在构建完整系统之前、将电源变化作为原型测试的一部分进行考虑。
制造过程可能会导致一些变化、具体取决于许多变量。 遗憾的是、我们的数据无法隔离这一点、因此我必须从更整体的角度来讨论这一点。
查看我们的 char 数据、在电源(10%)、温度(-40至+125C)和工艺(弱、额定、强)范围内、最坏的情况是输出脉冲的变化为15%。
您好、Maier、
感谢您的回复。 本产品在室温~24'C 下进行了测试
下面是我计算得出的表格。 它包括 Rext 和 Cext 容差(但不包括电压电源变化)。 产生的脉冲持续时间变化为~+/-19%。
|
选择 |
Rext (+/-10%) |
Cext (+/-1%) |
最小脉宽(us) |
最大脉冲宽度(us) |
|
1 |
1kΩ μ A |
30pF |
0.0811. |
0.119 |
|
2. |
2kΩ μ A |
30pF |
0.162 |
0.238 |
|
3. |
5kΩ μ A |
30pF |
0.405. |
0.595 |
|
4. |
10kΩ μ A |
30pF |
0.811 |
1.19. |
|
6. |
50kΩ μ A |
30pF |
4.05 |
5.95. |
|
7. |
100kΩ μ A |
30pF |
8.11 |
11.9. |
如果消除温度变化,可以估计输出脉冲的变化是多少? 电压电源来自3.3V PCIe Gen4。
3.3V PCIe 能否影响输出脉冲?
使用的电容器 I 是多层陶瓷电容器 MLCC - SMD/SMT 50V 30pF C0G 0402 1%。
使用这种类型的电容器会引起什么问题?
https://www.mouser.com/ProductDetail/KEMET/C0402C300F5GACTU?qs=v7s4VpRpa0v8nFe1dSW1hg==