主题中讨论的其他器件:TCA6424、 SN74HCS74、
大家好、
我的客户正在测试 SN74HCS86PWR。 客户选择该器件是因为它具有极低的 IQ。 客户发现在室温和高温测试中、IQ 正常。 ℃在低温测试(-10 μ A)中、IQ 大幅增加。 那么、我只想与您确认这是正常现象吗? 在低温测试中、什么可能导致 IQ 增加? 谢谢。
此致、
韦恩
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大家好、
我的客户正在测试 SN74HCS86PWR。 客户选择该器件是因为它具有极低的 IQ。 客户发现在室温和高温测试中、IQ 正常。 ℃在低温测试(-10 μ A)中、IQ 大幅增加。 那么、我只想与您确认这是正常现象吗? 在低温测试中、什么可能导致 IQ 增加? 谢谢。
此致、
韦恩
您好!Dylan、
让我添加更多背景。 客户电路板具有7个 SN74HCS86和14个 SN74HCS74以及1个 MCU 和1个 TCA6424。 首先、我们认为 SN74HCS86会导致低温测试期间的 IQ 增加。 但现在已经弄清了它实际上是 由 SN74HCS74引起的。 测试步骤如下:(电路板由3.3V 输入电压供电)
1.将 7个 SN74HCS86及其外部组件焊接在电路板上。 保持 SN74HCS74、MCU、TCA6424未焊接。 在℃μ A 和-40 μ A℃中、3.3V 输入电源上的电流为~μ A、这是正常情况。
然后、我们将 7个 SN74HCS86器件保持焊接状态、 并将14个 SN74HCS74焊接到电路板上。 MCU 和 TCA6424未焊接。
在 ℃μ s 测试中、当电路板刚通电时、3.3V 输入电源上的电流可达到200uA。 ~30秒后、电流降至~nA
在 -40℃测试中、3.3V 输入电源上的电流 随着温度的降低而不断增加。 当温度保持在-40℃时、电流最终达到300uA。
SN74HCS74原理图:
谢谢
此致、
韦恩
浮点 CMOS 输入将具有较大的击穿电流;请参阅 [常见问题解答]慢速或浮点输入如何影响 CMOS 器件?