主题中讨论的其他器件: SN74LVC1G17、 SN74LVC2G17、 SN74AVC4T774
您好,团队
我的客户有一个根据以下方框图设计的 TDM 数据流、需要解决以下问题:
缓冲器用于增强高达24MHz 的 I2S (TDM)信号
问题:
以下哪三种器件更适合客户的应用?
SN74AUP1G125 |
SN74LVC1G17 |
SN74LVC2G17 |
|
电压 |
0.8~3.6V |
1.65~5.5V |
1.65~5.5V |
特征 |
低功耗 |
高驱动能力 |
高驱动能力 |
类型 |
三态输出 |
施密特 |
施密特 |
驱动电流 |
4mA |
24mA |
24mA |
24mA |
|||
带宽 |
100MHz |
100MHz |
/ |
CPD |
4pF @ 10MHz |
22pF @ 10MHz |
19pF @ 10MHz |
CI |
1.5pF |
4.5pF |
4pF |
CO |
3 PF |
/ |
/ |
1. CPD 是否影响 CLK 信号? 还是计算功耗时的等效电容?
SN74LVC2G17不指示带宽。 它是否与 SN74LVC1G17一致? 它的输出电容是多少?
SN74AUP1G125是 I2S 时钟驱动器(TDM)的最佳选择吗?
SN74AUP1G125 规范表的第 P5页中填充的驱动电流为4mA、但第 P17页中介绍了针对高速信号的20mA 驱动能力。 两个驱动电流之间的差异是什么。
5. 如果 I2S 线路上有电平转换器,是否需要添加缓冲器? SN74AVC4T774的 IO 具有8~12mA 的驱动能力。
6. 考虑到 TDM 信号线路上的影响电容,如何计算该电容? CIN+CIO A (电平转换器驱动隔离、增强)? 还是 Con + CIO A+CI?