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器件型号：SN74AUP1G125 主题中讨论的其他器件： SN74LVC1G17、 SN74LVC2G17、 SN74AVC4T774
您好，团队
我的客户有一个根据以下方框图设计的 TDM 数据流、需要解决以下问题：
缓冲器用于增强高达24MHz 的 I2S (TDM)信号
问题：
以下哪三种器件更适合客户的应用？
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SN74AUP1G125 |
SN74LVC1G17 |
SN74LVC2G17 |
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电压 |
0.8~3.6V |
1.65~5.5V |
1.65~5.5V |
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特征 |
低功耗 |
高驱动能力 |
高驱动能力 |
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类型 |
三态输出 |
施密特 |
施密特 |
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驱动电流 |
4mA |
24mA |
24mA |
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24mA |
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带宽 |
100MHz |
100MHz |
/ |
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CPD |
4pF @ 10MHz |
22pF @ 10MHz |
19pF @ 10MHz |
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CI |
1.5pF |
4.5pF |
4pF |
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CO |
3 PF |
/ |
/ |
1. CPD 是否影响 CLK 信号？ 还是计算功耗时的等效电容？
SN74LVC2G17不指示带宽。 它是否与 SN74LVC1G17一致？ 它的输出电容是多少？
SN74AUP1G125是 I2S 时钟驱动器(TDM)的最佳选择吗？
SN74AUP1G125 规范表的第 P5页中填充的驱动电流为4mA、但第 P17页中介绍了针对高速信号的20mA 驱动能力。 两个驱动电流之间的差异是什么。
5. 如果 I2S 线路上有电平转换器，是否需要添加缓冲器？ SN74AVC4T774的 IO 具有8~12mA 的驱动能力。
6. 考虑到 TDM 信号线路上的影响电容，如何计算该电容？ CIN+CIO A (电平转换器驱动隔离、增强)？ 还是 Con + CIO A+CI？
