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[参考译文] SN74LVC1G373:高阻抗状态的用途是什么?

Guru**** 1640390 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LVC1G373, SN74AUP1G74, SN74AUP1G79, SN74AUP1G17, CSD17484F4, SN74HCS74, MSP430FR2000
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/881144/sn74lvc1g373-what-is-high-impedance-state-for

器件型号:SN74LVC1G373
主题中讨论的其他器件: SN74AUP1G74SN74AUP1G79SN74AUP1G17CSD17484F4SN74HCS74MSP430FR2000

当 MCU 处于低功耗(基本关闭)模式时、我需要保持 MCU 设置的高/低状态(基本上是"位")。 高/低状态将切换 MOSFET、它应长时间保持导通或关断状态。

因此、我想我需要一个像 SN74LVC1G373这样的单个 D 类锁存器。 但是、由于我不熟悉电子产品、我不了解那里的高阻抗状态是什么。

此外、如果我有时钟(而我没有时钟)、我认为我可以使用 D 型触发器。 由于该解决方案必须具有超低功耗、因此 SN74AUP1G74更为可取、因为其 ICC 最高仅为0.9uA、而 SN74LVC1G373的 ICC 为10uA (因此更高10倍)。 是否可以在没有时钟的情况下使用 SN74AUP1G74?

抱歉、如果我问转储问题、但我不熟悉所有这些内容...

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    好的、另一个论坛上的人刚刚指出、即使在深度低功耗模式下、MCU 的 I/O 引脚也是"状态保持"的!

    但出于教育目的、请回答我的问题。

    谢谢你。

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    OE 输入为高电平时、Q 输出处于高阻抗状态(既不驱动为高电平、也不驱动为低电平)。 这可能不是您想要的、因此请将 OE 保持在低电平。

    对于锁存器、要更改输出、LE 必须为高电平。 要保持旧状态、LE 必须为低电平。 因此、您必须将 D 和 LE 连接到 MCU 的两个引脚。

    对于触发器、要更改输出、CLK 必须具有上升沿。 为了保持旧状态、CLK 一定不能改变。 因此、您必须将 D 和 CLK 连接到 MCU 的两个引脚。

    列出的 ICC 是最坏的情况(在极端温度下)、但 AUP 的典型泄漏电流仍将略低。 (您可能需要使用较小的 SN74AUP1G79。)

    所示为您打算构建的电路原理图。

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    感谢您的澄清和建议!

    我正在处理原理图。 我将在完成后发布它。 可能需要一些时间、因为我以前没有这么做...

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    下面是我提出的内容:

    这基本上是 SN74AUP1G74典型电源按钮电路的一部分副本、其中添加了 MOSFET 作为开关。

    嗯、我认为在这个原理图中、只要按下"按钮"(这可能是任何脉冲、来自 MCU 的天气或其他任何情况)、它就会打开/关闭 MOSFET 开关。

    请告诉我哪里出错了、因为我是第一次这样做。

    此外、我还不确定如何计算电阻器和电容器值。 但我将尝试阅读更多有关它的信息。

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    嗯... 我刚刚注意到、SN74AUP1G74典型的电源按钮电路具有 SN74AUP1G17单路施密特触发缓冲器。 如果输入是数字输入(如来自 MCU)、我相信我不需要它。

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    C3错误;去耦电容器最多位于 VCC 和 GND 之间。

    仅在对真实按钮进行去抖时才需要 R1/C1。

    R2/C2会产生慢速边沿、因此建议添加施密特触发缓冲器。 调整它们的大小、以便获得所需长度的 CLR 脉冲。

    如果 Q1的栅极电容太大(>70pF)以至于开关电流过高、则需要 R3。 使电流保持在绝对最大额定值以下。

    需要 R4来在 U1断电时使晶体管保持关闭状态。 它的 kΩ 为100 μ F。

    来自 MCU 的脉冲将切换开关、但这可能会导致开关状态不同步。 更强大的解决方案只需将 PRE CLR 连接到 MCU。

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    是的、C3只是一个技术错误。

    删除了 R1/C1。

    我不了解 R2/C2。 数据表显示:

    > CLR 引脚上的电阻器和电容器是可选的。 如果未使用它们、则必须将 CLR 引脚直接连接到 VCC 才能使其处于非活动状态。

    这是否意味着我也可以删除它们?

    R4 -已了解。

    我不想将 PRE 和 CLR 连接到 MCU、因为我可能根本没有 MCU、或者我可能没有可用的 I/O 引脚。

    MOSFET -我查看了其中的一些产品、我不确定是否完全理解它们的数据表。 这个- Si8802DB -看起来 应该足够了、我认为我甚至根本不需要 R3。 此外、用热空气焊接它可能是一项挑战。 但我想尝试一下、看看它有多困难。

    新原理图:

    再次感谢您的帮助!

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    上电后、R2/C2延迟 CLR 上的上升沿、以使触发器进入已知状态。 当 PRE CLR 均为高电平时、则初始状态未知。

    该 MOSFET 并不是真正用于手工焊接的。 您需要切换多少电流?

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    好的、但是当电路加电时、MCU 会启动并设置状态。 如果在短时间内发生这种情况、这是否足够?

    是的、我知道此 MOSFET 不是用于手工焊接、但我只是想知道它是否可行。 所以我会尝试一下。

    要切换的电流应高达500mA。 我认为我不需要更多了。

    我将在明天尝试将 MCU 添加到该电路中。 让我们了解整个情况。

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    在此电路中、MCU 无法设置状态、只能切换状态。

    如果没有 R3、我认为 Si8802DB 不安全。 对于500mA 电流、更适合使用栅极电荷较小的 MOSFET、例如 DMN2300U (如果 您需要挑战、也可以使用 DMN3200UFB4或 CSD17484F4)。

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    我刚刚阅读了 MCU 数据表并相应地更改了原理图。 这一点目前并不重要...

    如果您不介意的话、让我们回到这个问题:"R2/C2会产生一个缓慢的边沿、因此建议添加一个施密特触发缓冲器。 调整它们的大小、以便获得所需长度的 CLR 脉冲。"。 如果理解正确的话,我应该计算 RC 值(我认为这是 RC 积分器)或者使用 施密特触发缓冲器... 我必须阅读更多内容:)我需要一些时间。

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    RC 电路的结果是一个慢速边沿;您可能需要一个施密特触发缓冲器来处理该慢速边沿。

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    尊敬的 Alex:

    我可以建议使用 SN74HCS74。 它具有内置的施密特触发缓冲器。 因此、您不必在外部添加这些内容。

    谢谢!

    卡兰

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    Karan、感谢您的建议、因为我正在这里划伤我的头! 好的、让我使用这个、而不是 SN74AUP1G74。 然后、我将继续使用 MCU。

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    我一直在为 MSP430FR2000创建一个符号、引脚分配有一条注释:

    >ADC (信号 A0至 A7、Veref+和 Veref-)在 MSP430FR2000器件上不可用。

    例如、引脚13为"P1.7/UCA0TXD/TB0.2/TDO/A7UCA0TXD/UCA0SIMO/VREF+"。 这是否意味着该引脚是 NC 并且根本不在 MSP430FR2000中使用? 或者、这是否意味着引脚用于除 A0至 A7、Veref+和 Veref-之外的所有其他用途

    我很困惑。 这是 WIP:

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    我刚刚意识到这是 DC! 哎呀...

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    在表4-1中、带有脚注(7)标记的信号在 MSP430FR2000上不可用;这不会影响其它信号。

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    我工作时很忙、但以下是更新版本:

    我根据 MCU 产品说明书进行了说明... 嗯、我想我没有错过任何东西。 您能否查看此版本、如果此处有任何缺失、请告知我?

    此外、我注意到数据表中的注意事项:

    >必须按照器件级 ESD 规范施加系统级 ESD 保护、以防止电气过载或干扰数据或代码存储器。

    我不知道这意味着什么。

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    看起来正常。

    内置 ESD 保护仅适用于自动化制造。 如果任何信号连接到人类可以触摸的外部世界、则需要更多的 ESD 保护。

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    A-ha、再次学习了一些新知识。

    好的、让我创建一个 PCB!