主题中讨论的其他器件:CD4053B、
各位专家、您好!
我的客户对 CD4053B 感兴趣。 客户对 TTHL 有疑问。 它是否因灌电流而异? 如果灌电流在5mA 至10mA 之间变化、TTHL 将会变化? 如果是、变化、ns 或更多是什么? 客户告知输出是连接 的光耦合器、CD4053B 和光耦合器之间有上拉电阻器。 然后、客户想知道 TTHL 通过灌电流的影响程度。
此致、
福吉瓦拉
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各位专家、您好!
我的客户对 CD4053B 感兴趣。 客户对 TTHL 有疑问。 它是否因灌电流而异? 如果灌电流在5mA 至10mA 之间变化、TTHL 将会变化? 如果是、变化、ns 或更多是什么? 客户告知输出是连接 的光耦合器、CD4053B 和光耦合器之间有上拉电阻器。 然后、客户想知道 TTHL 通过灌电流的影响程度。
此致、
福吉瓦拉
你好,Fujiwar-san,
您的问题可以通过基本电路分析得到解答。
CD4503B 具有标准推挽输出、当激活时、该输出的作用与电阻器非常相似。 这样、我们就可以将电路简化为:
我的仿真使用 R2作为参数、显示 R2 ={1k、10k 和100k}欧姆(按每个 I_SINK 和 V_OUT 从顶部的顺序)的值的输出。
如您所见、时序不会因 R2中的变化而变化。 唯一的变化是最终电压、您可以在红色 V_OUT (具有最大灌电流)中看到该电压。
再次进行相同的仿真并改变内部电阻会产生非常不同的结果:
在这里、您可以看到每个仿真的时序有显著差异(R1 ={50、100、150}欧姆。
正如 Clemens 所说、
时序主要取决于电容负载(光电耦合器的输入电容)和实际灌入电流的器件的驱动强度。
器件的驱动强度随数据表中所述的电源电压而变化(通过给定的 V_OL / I_OL 值)、并且负载电容应由光电耦合器制造商以及电路板设计(PCB 上的走线将增加电容)进行描述。