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[参考译文] CD4503B:输出电压的高到低瞬态时间

Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: CD4053B, CD4503B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/870061/cd4503b-high-to-low-transient-time-of-output-voltage

器件型号:CD4503B
主题中讨论的其他器件:CD4053B

各位专家、您好!

我的客户对 CD4053B 感兴趣。 客户对 TTHL 有疑问。 它是否因灌电流而异? 如果灌电流在5mA 至10mA 之间变化、TTHL 将会变化? 如果是、变化、ns 或更多是什么? 客户告知输出是连接 的光耦合器、CD4053B 和光耦合器之间有上拉电阻器。 然后、客户想知道 TTHL 通过灌电流的影响程度。

此致、
福吉瓦拉

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    时序主要取决于电容负载(光电耦合器的输入电容)和实际灌入电流的器件的驱动强度。

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    大家好、Clemens-San、

    如果器件的容性负载和驱动强度(这意味着器件具有足够的灌电流能力)且实际灌电流仅发生变化(例如5mA 至10mA)、则会改变多少 TTHL? 这将是几 nsec 还是更多?

    此致、
    福吉瓦拉

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    Yasushi-San、

    RC 时间常数决定上升和下降时间。 R 是内部 NFET 电阻、可通过 VOL/ IOL 计算得出、C 是外部电容。

    它与 R 由 PFET 决定的上升时间类似。  

    来自多路复用器信号开关组的人员将在您的查询中返回给您。

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    你好,Fujiwar-san,

    您的问题可以通过基本电路分析得到解答。

    CD4503B 具有标准推挽输出、当激活时、该输出的作用与电阻器非常相似。 这样、我们就可以将电路简化为:

    我的仿真使用 R2作为参数、显示 R2 ={1k、10k 和100k}欧姆(按每个 I_SINK 和 V_OUT 从顶部的顺序)的值的输出。

    如您所见、时序不会因 R2中的变化而变化。 唯一的变化是最终电压、您可以在红色 V_OUT (具有最大灌电流)中看到该电压。

    再次进行相同的仿真并改变内部电阻会产生非常不同的结果:

    在这里、您可以看到每个仿真的时序有显著差异(R1 ={50、100、150}欧姆。

    正如 Clemens 所说、

    时序主要取决于电容负载(光电耦合器的输入电容)和实际灌入电流的器件的驱动强度。


    器件的驱动强度随数据表中所述的电源电压而变化(通过给定的 V_OL / I_OL 值)、并且负载电容应由光电耦合器制造商以及电路板设计(PCB 上的走线将增加电容)进行描述。

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    Fujiwar-san、

    为了让我们正确地对帖子进行分类、我们希望澄清您所讨论的器件。

    上面给出的解释适用于驱动器器件(CD4503B 是缓冲器驱动器、而 CD4053B 是需要外部驱动器器件的模拟多路复用器)。

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    Shreyas、

    问题是 CD4503B。 很抱歉让你感到困惑。 感谢您的回答、我理解。

    此致、
    福吉瓦拉