您好！
您能帮您查看下面的原理图。 客户同意将问题和波形发布到 e2e。
问题：为什么在 AVref 连接到1.23V 时用1.4V 测量 A1？
应用：
将3.3V 从 B 侧向下转换为1.23V、再从 A 侧向下转换。 Bvref 连接 到3.3V、而 Aref 连接到1.23V。
2.推挽连接。
示波器波形如下所示、移除了上拉电阻器 R128 (显示 A1测量值~1.4V、这不是预期的1.23V)。
[引用 USER="Clemens Ladiscy]A 小电流流入 Vref_B 并流出 Vref_A 如果 PVDDQ_ABC_CPU 电源无法吸收该电流、则电源将向上浮动。 要解决此问题、请在 PVDDQ_ABC_CPU 和 GND 之间添加一个电阻器。[/quot]
我们可以从声明表数据表中找到、并认为我们连接遵循此指令。 是否需要更改数据表？
大家好、Clemens、
这是 FAE Vincent、我建议客户 根据您的建议在 PVDDQ_ABC_CPU 和 GND 之间添加一个100千欧电阻器、但它不起作用。
您可以找到下面的波形、 PVDDQ_ABC_CPU 仍会升高到1.44V。 应该改用较低的电阻、还是您有任何建议？
此外、您还建议使用另一种解决方案"保持 Vref_A 和 Vref_B 打开、并将 EN 直接连接到 PVDDQ_ABC_CPU。 (这始终需要 A1上的上拉电阻。)"、这是否意味着不在 Vref_A 和 Vref_B 上提供电压、而是仅使用 PVDDQ_ABC_CPU 为 EN 引脚供电？ 我们是否还需要在 B 侧上拉？
非常感谢。
陈文森
您好、Vincent、
很抱歉以前的部分帖子-我在完成编辑之前意外发送了该帖子。
我注意到 LSF 的输出主要呈线性显示：
这不是典型的 RC 电荷曲线。 在我看来、恒定电流会缓慢地为输入充电、这可能是通过 LSF 器件泄漏的。 通常、少量的泄漏电流会灌入接收器件、但如果它具有极高的输入阻抗、则理论上电流会像这样漂移。
LSF 工作原理的简化说明是、通道 MOSFET 在处于高电平状态时关断。 这不完全正确-当输出如图所示被钳位时、MOSFET 大部分处于关闭状态(无上拉电阻器)、但它仍然提供少量电流来将输出保持在指定的电压。 大多数 CMOS 输入都有少量泄漏。 这将设置输出电压。 在这种情况下、看起来少量的泄漏电流会非常缓慢地为接收器件的输入充电(所需的时间为28ms、这在逻辑世界中是很长的时间)。
为了给出一些数字，上面显示的充电率大约为(1V/28ms=) 35.71V/s
假设负载为5pF (可能不是很远)，则我们所讨论的泄漏电流为(5pF * 35.71V/s =)178.6pA。
他们可以尝试在 LSF 器件的输出端放置一个大的下拉电阻器，以查看这是否可以解决这个问题--在100k 欧姆和1Mohm 之间应该足够吸收泄漏电流。
Emrys、Clemens、
非常感谢您的支持。 现在、客户通过在输出引脚(A1引脚)上添加100k Ω 下拉电阻器来解决了这个问题。 这是波形。 (CH1：B1、CH2：A1、CH3：EN)
需要您提供建议的项目很少。
正确的解决方案是在 A1引脚上添加100千欧的下拉电阻器、移除 C30、并且无需在 Vref_A 上使用下拉电阻器、对吧？
VEN 等于 Vref_a + Vth、对吗？ 在这种情况下、LSF0102的 Vth 是多少？
3.在下面的波形(CH1：EN、CH2：Vref_B、CH3：Vref_A)中，首先提供 Vref_B (3.3V)，您可以发现在 EN 引脚上建立了大约0.66V 的电压。 这是正常的、为什么？
它是否可以是阈值电压？
非常感谢。
陈文森
尊敬的 Vincent：
在所示的第一个波形中、1.23V 电源看起来仍在充电：
(1)上面显示、偏置电压在电压转换前开始增加。 我知道的唯一原因是 VrefA 增加。 我确信、如果他们一起探测电源、他们将看到波形匹配。
(2)上面显示、当偏置电压达到特定值(即阈值电压)时、LSF 器件开始导通。 如果它们在该点测量偏置电压和输入电压、它们之间的差值将约为阈值电压。 换句话说、V_GS = V_G - V_S
(3)上图显示输出波形遵循预期的偏置电压。
在第二个波形中、如果您的 VrefA = 0V、则您的偏置电压将是连接的二极管 nFET 的 VrefA + Vth。 是的、这是预期的。 此处的视频介绍了此电路的工作原理： https://training.ti.com/tlm-lsf-bias?context=1134826-1139264-1134790
