[参考译文] SN74AUP1G125：最大限度地减小动态/击穿电流

为什么要使用施密特触发输入？ 您是否有缓慢的边沿或信号不会进入电源轨？ 如果是、您将获得击穿电流(请 参阅[常见问题解答]慢速或浮点输入如何影响 CMOS 器件？)。 施密特触发器的迟滞不会导致更高或更低的电流。

所有逻辑输入都具有击穿电流、AUP 已经是最低功耗系列。 避免击穿电流的唯一方法是使用 TLV3691等低功耗比较器。

Alfred、

击穿电流将在施密特触发器和非施密特触发器件上发生。 如果输入较慢、则会击穿、但 AUP 器件最好限制峰值电流。  

我同意 Clemens 的观点、即如果您想摆脱这种电流、使用比较器来承受慢速边缘并设置开关点。

最棒的
Michael

实际上、我不需要施密特触发器输入、我将其用于 RC 振荡器、然后使用相同的组件进行缓冲、但压摆率与 AUP 一样快。

输出级本质上是一个驱动隔离式电流传感器的全桥(即供电、不发送信号；相信与否)。

我现在看的是74AUP2GU04 (似乎只有 Nexperia 提供；U 应该具有更低的击穿电压)和74AUP1G74 (也为我提供了互补输出)。

再次查看125数据表、我们可以看到 OE 输入端似乎必须有缓冲级、因为不将信号驱动到电源轨会导致 Δ-Σ 电流比 A 输入端更差。

因此、使用它们组装"先断后合"阶段显然不是一种选择。

我现在的动态电流消耗大约为500µA μ A、我需要将其降低100倍。 哎呀。

就我所知、AUP 逻辑仍然是最佳选择、可能是唯一的选择、因为存在静态泄漏电流。

像 CD4007这样的器件会很好、允许使用疯狂的技巧。

TLV3691令人惊叹、但相当慢、不确定速度是否足够。

我对动态功耗没有清晰的了解、比如30kHz 时的动态功耗、但输出级被称为"无击穿"。

除此之外，它降低了我的成本结构...

我需要的是无击穿互补输出级。

Alfred、  

那么、您使用 AUP 器件为传感器供电、想法是这样吗、传感器是否消耗此电流？ 也许是我的误解。

当您说动态电流消耗时、您是指开关期间的峰值电流、还是指 RMS 电流消耗？

您是否以高频率进行开关？  

如果您在输入端具有快速边缘、那么我不会期望总电流消耗太大？ 除非您是在高频开关。

到器件的任何输入都将具有包括 OE 引脚的击穿。

Michael

在30kHz 时、击穿电流无关紧要。

您是如何测量该500 µA 的？ µA CMOS 器件的电阻应低于1 μ A。

µA 该500 μ A 电流消耗包含传感器的电流消耗、则驱动器/开关周围的液体无法明显减少。

我当前以70kHz 的频率进行开关。

500µA 450µA 并非全部由 AUP2G14动态变化、但是大约可以跟踪到它(不是像传感器那样周围的任何东西)。

该电流为 RMS、它随电源电压以非线性方式增加、即不是电容放电。

静态泄漏电流符合预期。

那么剩下什么呢？  

在该页面中、Nexperia 描述了 AUP 的电流消耗、具体取决于输入电压。

峰值如此之高、以至于击穿对于我看到的情况是绝对合理的解释。

两个输入是否均由有效逻辑电压驱动？ 将输入保持断开可以解释这一点。

不能、除了动态功耗外、整个设计都能按预期精确工作。

µA μ A µA、几乎所有 CMOS 都高于1 μ A、请查看数据表(尤其是在更高的温度下)。

然后、我必须得出结论、传感器中存在一些电容。

错误的结论、当我断开传感器时、电流甚至在那里。 去过那里。

请展示您的电路原理图和电路板照片。

是否可能由于焊接误差或助焊剂残留而产生泄漏电流？

记录：我现在将 AUPU04和 AUP17与 AUP14进行了比较。

存在可测量的差异：

AUP2GU04：484µA μ A

AUP2G17：527µA μ A

AUP2G14：541µA μ A

因此、组件之间存在合理的增量、但主要部件似乎仍在其他位置。

正在锻造

为了准确地比较测量值、我用一个外部脉冲发生器作为驱动器(70kHz)重复这些测量值。

这让我得到了非常有趣的结果：

AUP2GU04：48.6µA μ A

AUP2G17：51µA μ A

AUP2G14：48.9µA μ A

AUP2G14：46.2µA μ A

AUP2G14：47.8µA μ A

AUP2G14是3个不同的电路板。

现在的结论是组件无关紧要、不知怎么说、我的 RC 振荡器将电流发送到不应该流动的地方。

电流31µA 与频率成正比、1kHz 时静态基准为 μ A、这主要来自也位于该电源轨上的 OPAMP。

这让我感到非常失望。 18µA μ A 的动态电流、这仍然远高于我想要的值。

因此、AUP 可能必须替换为其他内容。  

最后注释：

6.6µA Ω 正在通过我的测量分流器(其余部分在其他地方)、其中60%是静态消耗或一些二极管泄漏。  

2.5µA、Δ I 可以是击穿和寄生电容放电的属性(其中一部分可能再次是钳位二极管寄生、需要替换)。  

我想现在这已经在所有人的估计范围内了。