团队、
您能否共享有关 SN54LVTH16244A 上的内部 ESD 保护的信息?
我需要设计一个与该缓冲器连接的保护电路、以防止符合人体放电模型的4kV ESD 瞬态。 当前器件的额定 HBM ESD 为2kV、不足以应对4kV。 如果无法共享有关该 IC 上 ESD 保护电路的信息、则有关二极管类型(硅、肖特基、齐纳二极管)或击穿电压的信息将有所帮助。
请告诉我、是否有推荐的方法来设计与该缓冲器连接的外部 ESD 保护电路(如应用手册)。
谢谢你。
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您能否共享有关 SN54LVTH16244A 上的内部 ESD 保护的信息?
我需要设计一个与该缓冲器连接的保护电路、以防止符合人体放电模型的4kV ESD 瞬态。 当前器件的额定 HBM ESD 为2kV、不足以应对4kV。 如果无法共享有关该 IC 上 ESD 保护电路的信息、则有关二极管类型(硅、肖特基、齐纳二极管)或击穿电压的信息将有所帮助。
请告诉我、是否有推荐的方法来设计与该缓冲器连接的外部 ESD 保护电路(如应用手册)。
谢谢你。
该器件在输入端具有等效的7V 齐纳二极管。
如果您的电路不使用高于 VCC 的输入电压、那么您只需在 GND 和 VCC 之间添加两个串联的(肖特基)二极管、以便将 ESD 电流引向电源;请参阅 保护输入免受损坏—EOS。 另请参阅 BAV99是否真正保护我的系统免受 ESD 的影响?
如果您确实需要过压容限输入、则必须添加外部 ESD/TVS 二极管。
您好!
该器件具有器件级 ESD 保护、旨在在 ESD 安全的制造环境中保护 IC。 本应用手册详细讨论了器件级 ESD 保护与系统级 ESD 保护之间的差异: 系统级 ESD 电路保护的设计注意事项
TI 提供各种 ESD 保护器件、如果放置得当、可防止对该器件造成损坏。 无需从头开始设计保护电路来连接此器件的内部工作、只需添加一个系统级 ESD 保护器件: https://www.ti.com/interface/circuit-protection/esd-protection-and-tvs-surge-diodes/overview.html
这些器件体积小,成本低--我想不出为什么设计自己的器件更好。