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[参考译文] SN74HC14:TI 自 PCN 20200629000.1生产以来生产的器件对 EMI 干扰的敏感性(从 HCMOS 切换到 LBC9工艺)

Guru**** 633810 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1167546/sn74hc14-emi-interference-susceptibility-on-parts-produced-since-pcn-20200629000-1-from-ti-switch-from-hcmos-to-lbc9-process

器件型号:SN74HC14

SN74HC14PWR 与许多其他 IC 一起从 HCMOS 更改为 LBC9工艺。  这是 TI 根据 PCN 20200629000.1完成的。

我们发现、LBC9器件在9 - 300MHz 的高频范围内易受辐射 EMI 干扰的影响。  原始 HCMOS 器件对 EMI 没有任何敏感性。  EMI 会影响此 LCB9工艺封装中单个施密特触发反向器栅极的输入和输出。

我随函附上:

- TI 的 PCN 20200629000.1

-示波器屏幕捕获 SN74HC14PWR 的输入和输出信号失真

-受 EMI 影响的电路原理图

EMI 的来源是用于步入式浴池的小型臭氧层器、用于对浴池水进行消毒。  如果将其插入到与控制器相同的交流电源插座中、则会得到 HC14波形失真。  当把振子放在控制箱旁边时、情况会变得更糟。

我可以使用一个27pF 陶瓷电容器在 VRET 的施密特触发输入端消除大约70%的噪声、但我无法完全解决干扰问题。

施密特触发器的输出运行 Freescale HCS05PA16处理器的键盘中断。  由于这种干扰、我从 HC14获得额外(假)中断。

我写了特殊软件来接受第一个中断请求、然后在5ms 内阻止其他中断。  它是一个过零检测电路、用于跟踪时间、并为在交流线路上触发 Triac 提供相位角参考。  我们希望完全纠正 HC14上的 EMI 噪声问题、而不必掩盖该问题。

PCN 裸片工艺变化的哪个特定部分会导致该 IC 易受 EMI 的影响?

感谢您对此提供的帮助!

e2e.ti.com/.../PCN20200629000.1.pdf

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    您好 Dale、

    [引用 userid="542746" URL"~/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1167546/sn74hc14-emi-interference-susceptibility-on-parts-produced-since-pcn-20200629000-1-from-ti-switch-from-hcmos-to-lbc9-process "] PCN 芯片工艺的哪些特定部分会导致此 IC 易受 EMI 的影响?

    我确信它与新流程中使用的设计相关。 我恐怕无法分享我们内部 IC 设计的详细信息、但我可以尝试提供帮助、必要时可以将这些信息提交给我们的设计团队和管理部门。

    我在其他情况下看到、与旧器件相比、新裸片更多地依赖于良好的旁路电容器。 您能否尝试添加一些额外的旁路电容器、可能是0.01uF 或0.022uF、以查看扩大旁路频率范围是否会改善运行?