SN74HC14PWR 与许多其他 IC 一起从 HCMOS 更改为 LBC9工艺。 这是 TI 根据 PCN 20200629000.1完成的。
我们发现、LBC9器件在9 - 300MHz 的高频范围内易受辐射 EMI 干扰的影响。 原始 HCMOS 器件对 EMI 没有任何敏感性。 EMI 会影响此 LCB9工艺封装中单个施密特触发反向器栅极的输入和输出。
我随函附上:
- TI 的 PCN 20200629000.1
-示波器屏幕捕获 SN74HC14PWR 的输入和输出信号失真
-受 EMI 影响的电路原理图
EMI 的来源是用于步入式浴池的小型臭氧层器、用于对浴池水进行消毒。 如果将其插入到与控制器相同的交流电源插座中、则会得到 HC14波形失真。 当把振子放在控制箱旁边时、情况会变得更糟。
我可以使用一个27pF 陶瓷电容器在 VRET 的施密特触发输入端消除大约70%的噪声、但我无法完全解决干扰问题。
施密特触发器的输出运行 Freescale HCS05PA16处理器的键盘中断。 由于这种干扰、我从 HC14获得额外(假)中断。
我写了特殊软件来接受第一个中断请求、然后在5ms 内阻止其他中断。 它是一个过零检测电路、用于跟踪时间、并为在交流线路上触发 Triac 提供相位角参考。 我们希望完全纠正 HC14上的 EMI 噪声问题、而不必掩盖该问题。
PCN 裸片工艺变化的哪个特定部分会导致该 IC 易受 EMI 的影响?
感谢您对此提供的帮助!