[参考译文] SN74LVT16245A：杂散接地反弹

该原理图没有去耦电容器。 请说明您将它们放置在电路板布局上的位置。

您好、Nammeo、
您能否在通道发生时以及正常运行时发布其示波器截图？

此外、是否可以获取与旧背板一起工作的器件的示波器截图？

您好、Nammeo、
一段时间没听到过你的反馈。 现在、我将继续并关闭此问题。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

你(们)好

感谢您的反馈。

我们已检查旧背板上的卡、问题仍然存在。 这是写入周期、很少写入到两个位置。

我们最初尝试在没有任何上拉或下拉的情况下使用74LVTH16245A、但没有任何帮助。

我们甚至尝试使用74LVTH162245A、但观察结果仍然相同。

因此、我们在写入信号的下降沿增加了30-40ns 延迟、并使用了74LVTH16245B。

在这种更改之后、写入在新的和旧的背板中不会失败。

但是、现在我们面临读取故障、这通常是数据以零读取的时候。

我们得到非零值、随后的读取会产生正确的零数据值。

我们注意到的是、在这种读取故障周期中、读取信号和数据线正在振铃、这种情况会在20-40-60分钟内发生一次。

随附的 DSO 捕获显示了读取和数据信号、在20-40-60分钟内完全损坏一次。

当我们将数据线下拉电阻器从先前的10KOhm 值降低到680欧姆时、这种情况会有所改善。

我们正在观察这种情况。

禁用74LVTH16245时，浮动输入是否会导致 该缓冲器消耗过多电流？

感谢您的患者阅读。

看一下示波器捕获、我有点困惑。

我看到第二个示波器屏幕截图中的数据线在读取信号为低电平时短时间内增加到~5.5V。  这是预期行为吗？ 电源在此期间是否发生变化？ 原理图中的电源被标记为3.2V，但示波器屏幕截图显示了一个相当稳定的4V 信号--这也是可以预料的吗？ SN74LVT16245B 仅支持高达3.6V 的电源。

此外、我注意到、在我假设为单个逻辑低电平期间、信号噪声极高、多次超过阈值电压。 这是否与控制输入(OE 和 DIR)的任何特定逻辑状态同时发生、还是随机发生？ 与其他数据引脚状态相关？

禁用74LVTH16245时，浮动输入是否会导致 该缓冲器消耗过多电流？

否-输入不悬空、因为此器件具有 H 特性(总线保持)、这将使线路保持高电平或低电平、具体取决于芯片禁用时的先前状态。 如果您使用的是 SN74LVT16245 (无 H)、那么是的、悬空输入会导致电流过大并可能损坏器件。

你好

在上一个观察中、4V 信号是 由于74LVTH16245上拉至5V 所致。  我们认为、由于这些是5V 耐压、因此5V 上拉电阻应起作用。

现在、我们已将上拉信号更改为3、3V 信号、并且4V 信号不再存在

2.您注意到的数据信号上的5V 来自我们的存储器、由5V 供电。 这仅在读取周期内出现

3.我们发现读取信号和地址信号具有接地反弹，当地址、数据组合发生变化时，这种反弹会发生变化。

如何解决此类问题

我们有一个具有0-a15 lilnes 的74lvth16245 IC、  

另一个具有 d0-D7 [双向、使用读取控制]、A16-A19和读取、写入信号的74lvth16245 IC

请查找随附的屏幕截图。

这些运行是否是由于电源引起的问题、还是由于74LVTH16245导致的问题、这两种情况很常见。  在我们的系统中、d0-D7缓冲器在读取/写入周期结束时被禁用。  

我们曾尝试使电源轨非常厚、添加了100nF、10nF 陶瓷、NPO 类型的本地电容器、还添加了47uF 钽和1000uF 电解电容器。 所有这些都不能帮助使读取信号变得干净。

在这种情况下、由于读取信号在许多周期内保持干净、因此仅在地址/数据更改的特定组合下才会损坏。

我们甚至尝试延迟[60-80ns]读取低电平上升沿、以便地址变化稳定下来。 但是、我们注意到、读取运行仍然会发生、并且会在数据从存储器中更改/显示时发生移位。

你好

以下是与读取信号上的 runt 相关的观察结果。

我们更改了存储卡上的收发器、即74HCT245、在读取低电平信号时激活。

这些被74LS245取代。

这导致了 A。缩短了数据信号的上升时间和 B。从读取信号中移除了 runt。

因此、读取信号期间的误差被消除、我们可以将读取宽度减小到~200nS

以下是 LS245和 HCT245均在5V 电源下运行时相同信号的两个屏幕截图。

我们应该从这些中学到什么？

1. 74LVTH16245是否发生故障[因为它们共享读取和数据信号]？

2.我们的74LVTH16245电源是否出现故障？

因此、我们可以使用74LS245并完成此项目、但我们希望了解失败的原因、以便下次更快地改进系统。

感谢您的耐心等待

 

您好、Nammeo、

Emrys 不在办公室，星期一才返回。 感谢您在此期间的耐心等待。
LS245是一款 BJT 器件。 与 HC245/LVT16245器件相比、它消耗更大的 ICC 电流。
我怀疑也会出现一些阻抗不匹配问题、这可能导致反射、从而导致波形中出现尖峰。 这也可能是由于接地反弹(可用接地引脚的范围？) 或串扰时触发该通道的延迟约为1.t。
此外、我注意到您使用的是较旧的器件(SN74LVT16245A)、不建议在新设计中使用该器件。 建议切换到 SN74LVT16245B、并在输出端或 LVT 器件输出端附近包含一个串联电阻(25-30欧姆)、以查看响应。

非常感谢 Clemens Ladisch

我们使用的是74lvth16245A。 我们错误地提到74lvt16245A。
我们尝试了技术#1端接、220R 工作正常。
我们还在输出33R 中添加了串联电阻以减少反射

我们发现、当输入处于1V 至2V 之间时、74LVTH16245需要高电流。 导致一些其他输出暂时变为1V 至2V 的 VOL [20-40ns]
由于这种高电流、LD1117 LDO 仅为两个74LVTH16245 IC 供电、因此电压下降0.4V [纹波为300-400mV、持续50-80ns ]

现在系统可以工作、但很少在地址 xx00上[当 A9-a0 = 00]、读取失败。

过去4-5周、我们发现故障是针对地址数据的组合、其中更多信号更改为0。

没有任何电源跟踪增强功能帮助
IC 引脚上没有额外的电容器。
尝试钽、电解、陶瓷10-33uF 和100nF/10nF COG

现在、错误很少、每天一次、但我们希望在系统部署之前、确保消除完整的噪声。

我们已经修改了74LVTH16245A 电路、并通过使用74LVTH245将其拆分为两个电路。 我们将很快更新此观察结果。

感谢您的患者阅读。

您好、Nammeo、
感谢您发帖。 您最能感谢 Clemens 的是将他的答案标记为您问题的解决方案(绿色按钮)、这为他作为社区贡献者提供了额外的分数、让人们知道他的帖子对解决这类问题很有帮助。

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