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您好!
在进一步检查泄漏问题后,我可以说前面提到的8uA 并不涵盖所有内容,因为测试不正确。
如果我们移除200k 偏置电阻器(或将其连接到上侧的 GND、通常连接到3V)、我们将获得更清晰的图片。 U11对总电流消耗的影响为25uA、U12对30uA、U13对10uA。 在禁用电平位移器时、我们总共将功耗降低了60-70uA、如上所述。 这种泄漏可能与我们的1.8V 电源轨在深度睡眠中关断有关、最后我们仅测量了0.6V 而不是1.8V (EN 引脚上的偏置电压在200k 正常连接时约为1.3V)。 因此、最后有8 uA 的完全对齐电流经过200k、但有额外的电流流经3V 侧上拉电阻。 通过 R37、该值几乎为20uA、通过 R36、仅为5uA。
这是否正常,因为 FET 偏置为相对高阻抗,但如果在1.8V 侧灌入电流,则可能无法完全闭合?
在任何情况下、我们都可以通过将200k 连接到 MCU GPIO 引脚而不是直接连接到3V 电源来解决此问题、因此我们可以控制电平转换器何时打开或关闭。 从数据表中可以看出、这种做法似乎很好:
(笑声) 正如视频教程中建议的那样,我们不需要直接在 EN 引脚上使用开漏驱动器,因为这会导致电流流经200k 电阻器,这是我们不喜欢的。
您能否确认这是否正常?
感谢你的帮助。
