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https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/816449/sn74act244-the-value-of-junction-to-case-top-thermal-resistance
大家好、
请让我确保缓冲器 IC 的结至外壳(顶部)热阻值(SN74ACT244MDWREP)。 数据表中有结至环境热阻(封装热阻抗)、但数据表中没有结至外壳(顶部)热阻。
此致、 TOM.Liu
应用报告《半导体和 IC 封装热指标》(SPRA953)表明 、μ ψJT 在以下实际应用中更加有用：
JESD 51-2对 ψJT Ω 的测量程序进行了总结、如下所示： 步骤1. 在测试板上安装一个测试封装、通常包含一个热测试芯片。 步骤2. 将细规热电偶导线(36规或更小)粘结到封装的顶部中心。 步骤3. 沿着封装修整热电偶导线、以最大限度地减少热电偶的散热特性。 步骤4. 在测试裸片中耗散功率。 步骤5. 测量测试裸片结温和热电偶温度。 步骤6. 将结温和表面温度之间的热梯度除以耗散的功率。 ψJT Δ I 不是真正的热阻？ 在上述过程中、允许测试芯片产生的热能沿优先热传导路径正常流动。 从芯片流向封装顶部的热量在测量中实际上是未知的、但出于 ψJT 计算的目的、假设为器件的总功率。 显然、这一假设无效、但通过这种方法计算、ψJT 成为一个非常有用的数字、因为实验配置与 IC 封装的应用环境非常相似。 因此、测试期间从芯片流向封装顶部的能量量类似于应用环境中的能量流分区。 与公式4相比、可以使用公式8非常接近地估算实际结温： TJ = TC +(ψJT ×功率)
JESD 51-2对 ψJT Ω 的测量程序进行了总结、如下所示：
步骤1. 在测试板上安装一个测试封装、通常包含一个热测试芯片。 步骤2. 将细规热电偶导线(36规或更小)粘结到封装的顶部中心。 步骤3. 沿着封装修整热电偶导线、以最大限度地减少热电偶的散热特性。 步骤4. 在测试裸片中耗散功率。 步骤5. 测量测试裸片结温和热电偶温度。 步骤6. 将结温和表面温度之间的热梯度除以耗散的功率。
ψJT Δ I 不是真正的热阻？ 在上述过程中、允许测试芯片产生的热能沿优先热传导路径正常流动。 从芯片流向封装顶部的热量在测量中实际上是未知的、但出于 ψJT 计算的目的、假设为器件的总功率。 显然、这一假设无效、但通过这种方法计算、ψJT 成为一个非常有用的数字、因为实验配置与 IC 封装的应用环境非常相似。 因此、测试期间从芯片流向封装顶部的能量量类似于应用环境中的能量流分区。 与公式4相比、可以使用公式8非常接近地估算实际结温：
TJ = TC +(ψJT ×功率)
您好！
我将返回给您有关这些值的信息；我可能需要请求数据。 如果您不确定哪种指标最符合您的需求、发布的应用手册 Clemens 也是一个很好的阅读。
我将很快通知您。
此致、
Gabriel
感谢大家的回答。 感谢 Gabriel、我将等待您对这些值的回复、
此致、 Tom
您好、Tom、
我已经申请了标准数据表热指标、一旦这些指标出现、我就会尽快返回给您。 最多可能需要三周时间。
谢谢、
您好 Gabriel、
非常感谢、我将等待您的回答。
嗨、Tom、
数据如下：
