[参考译文] CD74HC08-EP：每个栅极的 CPD 规格高于其他类似的 TI 器件。

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：CD74HC08-EP

大家好、TI 论坛、

我们正在为我们的产品寻找替代器件、我们正在考虑完整器件型号的器件之一是 CD74HC08QM96EP、但数据表是 CD74HC08-EP。

对于测试条件、该器件显示 CPD 为每栅极37pf、静态电源电流为40微安、传播延迟为135ns。

对于另一个器件 SN74HC08DT、CPD 显示为每个栅极20pf、静态电源电流为20微安、传播延迟为125ns。

我们的电路只是逻辑电路、就像打开使能线路、所以不是高频电路、似乎该器件比其他器件消耗更多的热量。我们不确定

这将是一个很好的替代产品、并且不确定为什么这几乎相同的器件的值比其他器件更高。任何建议都很有用、

谢谢、

Mike Pollock。

0 admin 3 年多前

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尊敬的 Mike：

[引用 userid="546683" URL"~/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1178992/cd74hc08-ep-cpd-spec-per-gate-is-higher-than-other-similar-ti-parts "]

对于测试条件、该器件显示 CPD 为每栅极37pf、静态电源电流为40微安、传播延迟为135ns。

对于另一个器件 SN74HC08DT、CPD 显示为每个栅极20pf、静态电源电流为20微安、传播延迟为125ns。

Unknown 说：
似乎此部件比其他部件耗散更多热量。

如果您的电路频率较低、CPD 将不会对热操作产生实际影响。任何 CMOS 逻辑门的功耗都很低。下面是瞬态功耗的公式(来自 [常见问题解答])如何计算 CMOS 逻辑器件的功耗或电流消耗？ )：

P_T = C_PD * V_cc^2 * f_I * N_SW

如果您有8个输入、所有输入均在低于1Hz (使能信号的典型值)、5V 电源下运行、则功耗计算如下：

P_T = 37E-12 * 5^2 * 1 * 8 = 7.4nW

即使存在可怕的 R_thetaJA = 400 C/W、这仍将小于0.000003 C 的增量。

40uA 的恒定电流消耗将增加200uW (P = I * V = 40E-6 * 5)、这会导致在假定的相同 R_thetaJA 下增加不到0.08 C。您应该注意、40uA 是器件的最大额定(即最坏情况)、而不是通常使用的功率。

为什么使用-EP 产品而不是标准商用器件？您是否在极端温度下工作？

逻辑（参考译文帖）(Read Only)