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[参考译文] TXB0108：单次触发电路和短路输入脉冲

admin
Guru**** 2531430 points
Other Parts Discussed in Thread: TXB0108, LSF0204

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/613363/txb0108-one-shot-circuitry-and-short-input-pulses

器件型号：TXB0108
主题中讨论的其他器件： LSF0204

您好！

TXB0108应该如何响应短于 TW_MIN (对于3.3V<->5V 情况为=10ns)的输入脉冲-例如1-3ns？

让我们考虑以下情况：
TXB0108用于5V CPU 和3.3V 静态 RAM 数据总线之间的电压电平转换。
在一个读取传输期间、CPU 释放数据总线、然后将 OE (输出使能)信号置为有效。
OE 置位后、RAM 开始驱动数据总线。
在这些输出数据生效之前、存在一个短时间间隔-例如、根据 RAM 规格、为1ns 至5ns。
这意味着数据线路在该时间内可能会改变一个或多个状态。

TXB0108内的边沿速率加速器将如何对 这些短脉冲做出反应？


BR、
  Denis

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    TI__Guru**** 2531430 points
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    尊敬的 Denis：
    我已通知相应的应用专家、他很快就会与您联系。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    尊敬的 Emrys：

    对此进行了任何更新？

    此致、

    Denis

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    TI__Guru**** 2531430 points
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    抱歉 Denis。 我已重新分配此职位、Shreyas 将很快帮助您。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    FDM、

    边沿速率加速器可感测 I/O 端口任一侧的上升沿输入。 触发单次触发的输入电平约为 Vcc/2；其中 Vcc 与输入所应用的端口相关。
    理想情况下，需要设置 OE，以便在临时条件下禁用 I/O 端口，以避免假信号。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    Shreyas、

    就我理解您的答案而言、它间接地确认 TXB 系列不适合连接 快速异步 SRAM 等器件。

     是否有关于这些边沿速率加速器的任何背景信息-触发单次触发电路的最小输入脉冲持续时间、其可重触发性、死区时间等？

    BR、
      Denis

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    尊敬的 Denis：

    遗憾的是，除了打开的大约持续时间大约为20到30ns 之外，我们没有更多有关一次性计时分析的信息。 这让我相信死区时间~<10ns。 根据您所描述的内容、它可能会导致一个或两个假干扰。 如果 CPU 被编程为忽略小于20ns 的数据、我相信这将起作用。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    Shreyas、您好！  

    根据 SCEA043应用报告《使用 TXB 型转换器进行电压转换的指南》、 边沿速率加速器被打开"大约10ns 或95%的输出边沿、以先 到者为准"、并且在无负载的情况下~4.5ns、不是吗？ 30ns 的持续时间似乎与 TXS 系列更相关。

    在 我正在处理的项目中、我在5V 侧具有严格的读取事务(<10ns)和 CMOS 输入电平时序预算、因此 TXB 系列转换器无论如何似乎不适合我。
    我认为 LSF 系列更合适、但遗憾的是、在5V 时、DS 中既没有静态特性、也没有动态特性、尤其是对于3.3V 至5V 的升压转换。

    BR、
      Denis

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    尊敬的 Denis：

    TXS 和 TXB 自动双向都有一个快照。 一次性的表征未完全完成、因此、这一严格的要求将是对产品工程和我们的系统工程团队的良好反馈、有助于他们定义更可靠的规格。
    您提到的 LSF 中没有单触发加速器，由于这是无源转换器，因此开关特性将由上拉电阻器定义。
    您是否对任何特定的静态规格感兴趣？ 我可以尝试在 char 数据中找到它、如果它是被收集的。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    Shreyas、

    我对 Ron 最大值(DS 只有典型值)和 电压为5V 时的 CIO (ON)/CIO (OFF)感兴趣。

    BR、
     Denis

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    TI__Guru**** 2531430 points
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    Denis、

    您需要室温数据还是整个温度范围内的数据？

    我收集了以下条件下的室温数据：

    条件：VrefA =3.3V；VrefB=Ven=5V、Vin =0V、I=64ma
    Ron avg = 3.1 Ω

    我目前没有5V 电压下的电容数据。
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    TI__Guru**** 2531430 points
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    Shreyas、

     该 Ron avg = 3.1欧姆 值与 LSF0204 DS 的3欧姆典型值非常对应。
    我对所有 PVT 变化中的 Ron 最大值感兴趣。

    BR、
     Denis

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    Denis、

    我获得的数据显示，在列出的条件下，导通电阻的最大值为11.85欧姆(125C 时)。 尽管这是在30个单元中进行测试的，这将提供良好的正常分布，但这不考虑工艺变化。