[参考译文] TXB0108：ESD 故障+-2kV

天使

差异在于、TXB0108的额定 HBM ESD 冲击电压为15kV。 这使用100pF 电容器和1500欧姆电阻器。  请检查您的 ESD 枪的值、并确保您使用的是测试的枪。

HBM 不同于使用150pF 150ohm 或150pF 300 ohm 的 IEC61000-4-2 ESD 冲击。 该脉冲对器件的强度要大得多、可能需要外部保护器件。

此致、

Cameron

您好、Angel、

我相信、Cameron 在看到这一点时、会为您提供一个很好的解决方案。 我自己有一部分是为了将 双向 BJT 齐纳钳位用于输入等。 它具有非常快的响应时间和极低的电容。 需要权衡的是更多器件、并找到符合您需求的 BJT、但一旦您这么做、BJT 就能很好地发挥作用。 我在下面附加了一个电路原理图、其中包含两个 NPN BJT、因为很难找到我要讨论的电路、因为大多数情况下都不使用它。 不过、Fluke 在其大多数仪表的输入端使用此电路！ 我不确定它在持续高电压事件中的表现如何、但对于瞬变、它应该能够很好地工作。

请原谅"CINx"、它来自另一个问题。 您可以将此电路连接在任意两个电位之间、但通常它跨越 Vin 和 GND。

如果您的问题已得到解答、请使用下面的绿色按钮验证解决方案！ 如果没有、请随时向我提出任何其他问题。

此致、

Nick

天使

这种工作方式基本上是使两个二极管一对一、另一对一。 这意味 着、当您达到第一个二极管的击穿电压加上第二个二极管的正向电压时、电流将开始流过接地、从而有效地保护未额定这么大功率的任何下游器件。 IEC 61000-4-2速度非常快、但能量很大。 如果您可以指示该能量通过保护器件而不是 IC、那么电平转换器等其他器件将受到保护。

但是、使用 Nicholas 所说的两个 PNP 需要使用两个 BJT、这两个 BJT 是您了解所有规格的、并且具有很大的面积。 如果您需要易于使用的器件、可以使用两个 TPD4E1U06、因为这两个器件是四通道器件、并且您将通过高达+/-15kV 的 IEC 61000-4-2标准

此致、

Cameron

Cameron 将其接在头上、保护电压是 Vebo (发射器基极最大电压)和二极管压降的组合。 晶体管的许多模型之一是两个背靠背齐纳二极管、这两个二极管都采用正向偏置配置、从 B 到 C 和 B 到 E、两个二极管共用 B。 当电压足够高、足以满足 Vebo + 0.6V 电压时、电路导通、电路将分流至 GND。  

我查看了 Cameron 推荐的器件、它还以类似的方式在二极管外运行。 数据线将正向偏置并在正常运行时通过二极管导通、但当检测到过压故障时、它将偏置齐纳二极管、使其导通。 这将分流过大的电流通过 ESD 保护器件、而不会流入下游器件。 请参阅下面插入的 TPD4E1U06器件方框图：

这种单芯片解决方案可能最适合您、因为它很小、并且规格为测量您将在其上运行的测试。 在光明的一面、您了解到了一个新的 BJT 电路、这是一个美好的一天！

如果您的问题已得到解答、请使用下面的绿色按钮验证解决方案！ 如果不是、我可以随时向您发送其他问题、我会尽快为您解答。

此致、  

Nick

您好、Angel、

我想您可能会有些困惑、我们建议您不要使用双向 BJT 齐纳钳位电路、而是使用 TPD4E1U06。 这两种解决方案都是可行的、但 TPD4E1U06的占用空间更小、符合 IEC 61000-4-2标准、并且比必须对晶体管进行规格更容易。 按照 Cameron 的以下说明、以整洁整洁的方式解决您的问题：

"如果您需要易于使用的器件、可以使用两 个 TPD4E1U06、 因为它们是四通道器件、并且您将通过高达+/-15kV 的 IEC 61000-4-2标准"- Cameron

如果您的问题得到了解答、请点击绿色按钮验证以下解决方案！ 如果您有其他问题、请将其发送给您、我很乐意尽快为您解答。

此致、

Nick