Other Parts Discussed in Thread: SN74LVC244A, SN74LV244A, SN74LVC1G17
我们在 设计中使用 SN74LVC244A 器件、用于将处理器与显示面板相连。 用于调光的 PWM 信号(频率不超过500Hz)和用于启用背光的逻辑信号。
但随机的逻辑信号输出引脚5发生故障、接地电阻为0.5欧姆。 在另一种情况下、用于500Hz 信号的输入引脚13发生故障、电阻为15 Ω 接地。 但芯片是活的。 是否有人在该特定芯片中遇到了引脚故障？
尊敬的 Emrys：
感谢您的回答。
PCB 位于封闭面板中、因此我认为 ESD 冲击优先级较低。 此外、我们还准备好了 ESD 二极管。
我随附了包含布线长度的原理图流程、以供您进一步评论。 我还将检查是否有故障芯片来安排 FA。
尊敬的 Emrys：
感谢您的支持。 我们与地区 TI 代表联系以启动 FA。
同时、我探测输入信号以确保您提到的转换上升速率(<10ns/V)看起来与所连接的情况一样良好、因为我们将总上升时间本身设置为540ps、通过1.5GHz MSO 探针捕获。 但我们确实会看到过冲、直至~5V。 我认为我可以调整处理器的驱动强度、以在一定程度上消除它。 已连接缓冲器输入和输出波形以供您进一步评论。
缓冲器输入：
缓冲器输出：
在另一个 PCB 中、我们部署了 LV-A 系列 SN74LV244A。 我们确实看到了一些罕见的故障。 当我观察到转换速率时、3.3V VCC 运行时的转换速率大约为400ns/V 、如下所示(数据表要求<100ns/V)。 您是否看到来自电机主页位置霍尔效应传感器的这种缓慢变化的输入信号存在威胁、这会使该芯片发生故障？ 您是否建议在此应用中使用配备施密特触发器的直接替换芯片？
尊敬的 Emrys：
我们正在尝试进行设置、以测量 SN74LVC244A 输出引脚处的电流。 我们还计划调整处理器的驱动强度、以抑制缓冲器输入处的振铃、并计划调整缓冲器输出处的串联电阻器。 因此、我希望我们根据您的建议在这里有一些选择。
关于我上一篇文章中显示的第三个波形、关于 SN74LV244A、 超出数据表上升转换率规格(100ns/V)的情况下、我们调整了上拉和线路电容、使其从400ns/V 下降到~90ns/V (在下图中显示为上升255.7ns)。 我认为，我们现在处于安全区域，以排除由于过渡速度上升而导致的未来失败。
但我们在缓冲器输入的下降沿(测量值为-0.74V)中发现了下冲、如下面第二幅图像所示。 同样、问题是、与我们遇到的400ns/V 上升转换率问题相比、这对于芯片故障而言是否是一个关键问题？
