主题中讨论的其他器件: SN74LVC1GU04、 SN74LVC1G80
您好!
我想知道我们是否可以获得一些帮助、因为我们将您的 CD4521B 用作分频器、但我们的晶体不会因奇怪的原因振荡。 晶体输出保持高电平。
这是我们的电路、如果我没有错过任何与数据表中的晶体振荡器电路相匹配的电路、
我们使用的晶体如下: ABLS-4.194304MHZ-B4-T
您是否有任何想法或建议、为什么要举行 Out2/IN2?
谢谢
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您好!
我想知道我们是否可以获得一些帮助、因为我们将您的 CD4521B 用作分频器、但我们的晶体不会因奇怪的原因振荡。 晶体输出保持高电平。
这是我们的电路、如果我没有错过任何与数据表中的晶体振荡器电路相匹配的电路、
我们使用的晶体如下: ABLS-4.194304MHZ-B4-T
您是否有任何想法或建议、为什么要举行 Out2/IN2?
谢谢
Daniel、您好!
首先、我应该说、这不是 TI 开发的器件、因此我在这里只能提供有限的信息来提供帮助。 该器件由 Harris 开发并由 TI 收购。 我将尽最大努力为我提供帮助。
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根据初始检查、我认为您尝试以该器件的过高频率运行。 还有几个其他方面可以为您提供帮助、但我认为您需要一个单独的晶体驱动器来获得所需的4.2MHz 频率。
您可能会看到有一个 SN74LVC1GU04用于单独驱动晶体。
即使使用外部驱动器、CD4521B 也需要在5V 以上运行才能在超过4MHz 的输入下工作(4MHz 被列为 Vcc = 5V 时的最大值)。
我可能建议首先使用 SN74LVC1G80等器件对晶体频率进行分频、然后可以在5V 电压下运行所有器件、CD4521B 的输入将仅为原来的一半、并且可以从早期的输出级获取输出。
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由于晶体建议负载18pF、因此应使用的实际电容值接近14pF、尽管18pF 应产生振荡、但仅具有一些频率偏移。 此网站( 不属于 TI)有很好的解释。
此外、R114的值应大于0以获得最佳结果-通常为1k 欧姆、但您至少应获得0欧姆的振荡(仅具有更多的振铃)。 下面的应用手册 I 链接提供了一些图像、这些图像显示了 R_S 如何影响操作、并提供了更深入的说明。
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内部电路"驱动"晶体只是一个非缓冲反向器。 我觉得建议的电路有点奇怪
在我看来、电路在所提供的配置中不会振荡:
驱动晶体的传统电路如下:
或者从我们关于该主题的应用手册(在振荡器电路中使用 CMOS 非缓冲反相器)中获取:
我不确定是否忘记了连接/这是错误-或者该电路是否是设计用途、它不是我所熟悉的晶体振荡器配置。