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[参考译文] LSF0108:上升时间太慢?

Guru**** 2539480 points
Other Parts Discussed in Thread: LSF0108, SN74AVC4T774, LSF0102, TXB0108

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/670933/lsf0108-rise-time-is-too-slow

器件型号:LSF0108
主题中讨论的其他器件: SN74AVC4T774LSF0102TXB0108

您好!

客户将 LSF0108用于1.8V 至3.3V 的8MHz SPI 应用、原理图如下。

但是、他们发现输出信号无法达到3.3V、并且上升时间似乎太慢。  下面的波形是在输出侧(SPI 时钟)将输出侧上拉电阻器从1k Ω 更改为200 Ω 后的波形。  (使用原始1k 欧姆时、上升时间较慢。)  我认为 LSF0108应该能够覆盖8MHz 的速度。  他们应该怎么做来解决这个问题?

谢谢!

安东尼

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    尊敬的安东尼:

    LSF 器件为无源器件、因此不提供任何驱动强度。 当 RC 延迟对于数据速率过高时、这会导致一些问题。  

    此链接将带您观看我们有关 LSF 器件的精彩培训视频之一、其中重点介绍了该问题。

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    您好!

    您是否意味着客户问题是因为 B 侧 RC 太大?   这里可以使用的最小 R 是多少?  上一个波形基于@ 200欧姆的上拉电阻器。  是否可以进一步降低?  关于 C (寄生 电容)、客户是否可以通过任何方式判断其大小?  如果根据客户可以使用的最小 R 值、上升时间仍然过长、我们是否应该建议其他具有驾驶功能的 TI 组件?  您会建议哪一个?

    谢谢!

    安东尼

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    安东尼

    您是否意味着客户问题是因为 B 侧 RC 太大? 是、因为输出由线路上的无源组件控制。   

    这里可以使用的最小 R 是多少?  上一个波形基于@ 200欧姆的上拉电阻器。  是否可以进一步降低? 数据表9.2.1.2.2节中的表4给出了要使用的推荐电阻器值。 本节本身介绍了选择电阻器时的设计注意事项。

    关于 C (寄生 电容)、客户是否可以通过任何方式判断其大小?  根据它们的设置和设备、可以对其进行测量。 例如、如果它们运行的走线较长、会增加寄生电容和电阻、那么它们的布局可能是此问题的一个巨大因素。  有一些用于计算布线寄生效应的工具。  

    如果根据客户可以使用的最小 R 值、上升时间仍然过长、我们是否应该建议其他具有驾驶功能的 TI 组件?  您会建议哪一个? LSF0108非常适合双向转换。 对于 SPI 应用(了解信号方向)、 SN74AVC4T774可能更适合。

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    您好!Dylan、

    感谢您的回复。  同时、同一客户还有另一个使用 LSF0102的电路板、其原理图和 B 侧信号波形如下所示。  它们在 B 侧也无法达到3.3V。  与波形不同、这似乎是与上述情况不同的问题??  这种情况的问题是什么?

    谢谢!

    安东尼

    安东尼

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    尊敬的安东尼:

    这可能是由于上拉电阻较弱。 如果我没有弄错、他们使用的电阻器为4.7K、大于推荐值。 让他们尝试下表中的电阻器(3.3V 行和+10%列)、看看这是否有用。 如果我不能再回来、我将继续尝试调试他们的问题、谢谢。

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    您好!Dylan、

    谢谢。  我会让他们尝试一下、并告诉您结果。

    同时、它们还有一个将 LSFxx 用于其单向 SPI 应用的相关问题。  问题是、在 A 侧或 B 侧、是否需要在这些 SPI 信号上实施外部 PU 电阻器?  是否可以移除外部 PU 电阻器?

    谢谢!

    安东尼

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    您好!Dylan、

    在与客户进行交叉检查后、让我们跳过有关 LSF0102案例的讨论、因为它位于 CPU 参考设计板而不是客户的板上。  让我们重点了解一下开头提到的 LSF0108案例。

    第一个问题是、您是否看到有人担心它们没有按照数据表中所述将 EN 引脚连接到 Vref-B?

    今天、当 B 侧上拉电阻为200欧姆时、我们会收到下面更多的波形。

    • 第一个波形在系统上电之前被捕获、您可以在这些信号上看到3.3V 电压。
    • 当有 SPI 访问时、系统上电后捕获第二个波形。  您可以看到、高电平仅约为2.4V、低电平约为720mV。
    • 同时、当他们尝试使用100欧姆上拉电阻器时、高电平电压约为2.8V。
    • 当它们尝试使用千欧上拉电阻器时、高电平电压大约为2.1V
    • 3.3V SPI 信号通过 VIH@2.31V 和 VIL@0.8V 连接到 SPI 闪存。

    您是否认为可以使用他们现在拥有的电路板设计来改进这一点?  项目已接近最后阶段、可能无法更改布局设计。  我尝试检查 TXS0108和 TXB0108、但发现它不是直接替换(TSSOP 封装)。  请分享您的意见、我们如何解决这个问题。  非常感谢!

    SPI_FLASH_CLK:

    高电平:2.41V

    低电平:720mV

     

    SPI_FLASH_MOSI:

    高电平:2.43V

    低电平:720mV

    安东尼

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    尊敬的安东尼:

    不通过200kOhm 连接 EN 和 Vrefb 绝对是一个需要解决的问题。
    当 Vrefb 上有200k 时、偏置点不是固定的、但 en 上没有偏置点。
    当 EN 直接连接时、晶体管偏置为3.3、而当正确连接时、则偏置为~2.4V。 阈值变化将影响开关、尤其是在较高频率下。
    我强烈建议您观看 LSF 有关升/降转换和偏置的视频。

    降低上拉电阻会影响输出端的电压、因为产生的额外电流需要灌入主机;因此电压为~750mV。

    对于推挽信号、主机侧不需要上拉电阻器。

    您/客户是否会考虑使用专为 SPI 通信而设计的 SN74AVC4T774器件、该器件适用于每个 IO 引脚的 DIR 引脚。