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器件型号：TXB0104 在其他论坛中、我已经了解到 RC 到 VCC、它会缓慢升高 OE、从而在 打开 VCC 时产生延迟。
如果我们要 使用 FET ( 在启动时切换至 GND) 和 OE 上的上拉电 阻器(在 FET 处于“开路”状态时打开) ， 我将有一个上升时间(PU 和 FET 容量以及 TXB0104 => RC 的内部容量)
在旧论坛中、建议 CMOS 的上升时间为20ns/V..100ns/V (端口 A 40ns/V)。 如果我使用10k 的上拉电阻和100pF 的 FET (CDSS)、 我的 RC 上升时间大约为2us。
在数据表中、没有为 OE 定义上升时间(仅适用于输入端口 A 或 B)。
上升时间为2us 会是正常的 ？ (OE 仅在上电时使用)
(我知道最好的解决方案是使用施密特触发器来解决它、但目前我无法更改它)
如果该 OE 仅在加电时使用、那么 TXB0104中的内部开关损耗 仅在加电时使用、那么可接受的上升时间是如何的。 ？
风险在哪里？
谢谢。
曼弗雷德
