我需要对1nF 电容器进行极快脉冲(60MHz、50%占空比)的充电和放电 、并具有几乎完美的瞬态和预分频时序。
我的计算显示[驱动缓冲器]应该提供2A 脉冲电流最小值、但我找不到适用于此高电容负载的逻辑缓冲器。
现在、我将为此使用20个并联逻辑缓冲器。 (是的... 我是白痴)
是否有用于高容性负载(1nF)的替代智能解决方案?
我认为简单的分立式 BJT 缓冲器可能是一种不错的解决方案、但我在分立式设计方面非常差。 (瞬态响应/延迟非常重要)
谢谢你。
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我需要对1nF 电容器进行极快脉冲(60MHz、50%占空比)的充电和放电 、并具有几乎完美的瞬态和预分频时序。
我的计算显示[驱动缓冲器]应该提供2A 脉冲电流最小值、但我找不到适用于此高电容负载的逻辑缓冲器。
现在、我将为此使用20个并联逻辑缓冲器。 (是的... 我是白痴)
是否有用于高容性负载(1nF)的替代智能解决方案?
我认为简单的分立式 BJT 缓冲器可能是一种不错的解决方案、但我在分立式设计方面非常差。 (瞬态响应/延迟非常重要)
谢谢你。
感谢你的帮助。
我认为 MOSFET 开关是非常好的解决方案、但我担心输入信号的 MOSFET 驱动能力(FPGA 逻辑输出是我的输入信号)。
由于 MOSFET 具有寄生栅极电容、因此通常需要专用的高频栅极驱动器以实现超高开关频率。
遗憾的是、我的电路开关频率是60MHz 脉冲(通常是非常高的频率)、因此在使用 MOSFET 开关时必须使用非常快的 MOSFET 驱动器。
我不想使用 MOSFET 驱动器、因为我担心其他元件可能会出现时序问题。
因此,我考虑首先使用 BJT 逻辑缓冲器来实现更高的带宽(我认为 BJT 输入级具有更好的带宽,通常具有低电流输入)
但是,我错了。 根据您的智能建议、MOSFET 是此应用的最佳解决方案。 我将重新考虑使用合适的 MOSFET 驱动器的功率 MOSFET 开关。
如果没有你们的帮助、我本来会遇到 BJT 的问题。 XD
再次感谢。