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[参考译文] 申请此组件在芯片级使用的 CAHCT1G126QDCKRQ1特性尺寸(也称为工艺技术)

admin
Guru**** 2573695 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/725238/request-for-cahct1g126qdckrq1-feature-size-aka-process-technology-used-at-die-level-for-this-component

请任何人按照上述要求提供芯片制造信息。

此致。

Alan。

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    TI__Guru**** 2573695 points
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    尊敬的 Alan：
    我们的标准逻辑器件建立在模拟处理流程的基础上，即每个 MOSFET 的大小都是以特定逻辑系列的独特几何形状进行单独调整的，而不是您在具有固定几何形状的数字电路中看到的几何形状(例如，使用65nm 栅极长度的 TMS570LS MCU)。

    我们通常不会公开发布我们的模拟 IC 设计的详细信息。

    如果您想直接与我联系、我的电子邮件是 Emrys (位于) TI.com。 也许我们可以准确地讨论您的顾虑、并为您提供所需的信息。
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    TI__Guru**** 2573695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    AHC/AHCT 设计人员指南(SCLA013)指出：

    […] µm 这些问题的逻辑答案是一系列先进的高速 CMOS 器件、这些器件采用允许1 μ s 栅极长度的工艺制造。

    和：

    AHC 器件的栅极氧化层 Å 仅200 μ m。