您好!
我们在各种设计中使用 SN74LVC573ARGYR。 我们发现了一种现象、我们打算检查 TI /或客户是否对这种情况很熟悉。
在特定设计中、其中一个输入(D6)通过上拉电阻进行连接。 当我们遇到输出为"High-Z"阻抗模式并切换到"锁存模式"的情况时、我们发现该特定输出没有达到预期的高电平、这会导致我们的应用程序无法正常工作、并在正常预期运行时失败。 我们在数据表中找不到定义、器件和器件之间的开关持续时间略有不同(这意味着有时用另一个器件替换器件可以"解决"问题)。
这不是一个批量问题、而是一个现象、我们发现器件的速率百分比很低、这一问题比其他问题更重要、我们在过去2年中查看了不同批次的不同卡片。
在使用此特定器件的其他应用中、我们没有上拉方案、因此在这些应用中、我们没有发现任何问题。 它仅存在于上述情况(D6 --> Q6:尽管 D6有上拉电阻、但从"高 Z"模式切换到"锁存"模式时、Q6保持为"0"。 我们在工作流程中看到、从"High Z"模式切换到"Latch"模式时、锁存器存在问题–输出变为"0"、输入端也有"1"(上拉)。
我们 打算检查 TI /或客户是否熟悉此问题。 请帮助我们总结一下。
谢谢、
IDO
"0"、而预期输出为"1"。 