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[参考译文] TXS0108E-Q1：Ege 检测的机制是什么

admin
Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E, TXU0304

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1184633/txs0108e-q1-what-is-the-mechanism-for-the-ege-detect

器件型号：TXS0108E-Q1
主题中讨论的其他器件：TXS0108E、 TXU0304、 TXS010

TXS0108E 具有边缘加速器、可检测上升沿或下降沿的开始： Ege 检测的机制是什么，阈值范围被视为有效？

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    当通常在开关期间检测到上升沿或下降沿(根据 VIH 和 VIL 电平)时、在大约30%至50% Vcc 时、一次性激活、将输出短接至 VCC 或接地以实现高电平或低电平。 当一次性持续时间设计为在10ns 至30ns 之间激活时，TXS 器件的内部上拉电阻器会在禁用后将线路驱动为高电平，并保持其稳定状态。 应考虑更快的上升/下降输入边沿和负载电容、确保< 70pF、以帮助避免在输出达到 stead 状态之前使单次触发过期。

    另请参阅 “使用 TXS-Type 转换器进行电压转换的指南”，谢谢。

    此致、

    Michael。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    e2e.ti.com/.../Low-temperature-failure.pptx

    您好、Micheal：

      感谢您的回复、如附件文件所示、我有以下几个问题：

    1、在  正常温度下下降 Ege 期间产生的挂钩（没有超过）μ F 的负载电容？

    2、点 B 低温下的异常毛刺、是由点 C 中的挂钩引起的吗？   它  是更容易触发的加速器吗？

    3 μ   s、？B 点的异常毛刺最终导致器件侧在低温时的 SCLK 电平反转、是加速器触发的 μ s

     

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    您能否澄清 挂钩、异常毛刺、SCLK 电平反转以及所指的 B 点和 C 点？ 谢谢。

    此致、

    Michael。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    e2e.ti.com/.../8203.Low-temperature-failure.pptx

    您好、Micheal：

      作为附件

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    感谢您提供的附件。

    通过"低于-20deg C"、您能帮助确认温度吗？

    您能否确认总负载电容？ 您是否使用了原理图以及任何上拉电阻器？ 应用是 SPI 还是 QSPI？  布线的长度是多少？ 主机是否具有足够的驱动强度、能够同时灌入电流并将线路驱动为低电平？ 所有这些都会影响您的观察结果、因为该器件的设计 驱动强度极小或根本没有驱动强度、因此我们可以推荐更适合 SPI 应用的器件、谢谢。

    此致、

    Michael。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    通过"低于-20deg C"、您能帮助确认温度吗？

    低于20度 C 更容易出现问题，关于总负载电容、我们没有添加额外的电容、我认为 C 点的挂钩 更可能受到 e2e.ti.com/.../0825.Low-temperature-failure.pptx 的影响 、因为上升/下降 Ege 太快、当我们在负载侧添加33欧姆电阻器时 、可以解决这个问题；  输出电压为150mm、应用电压为 SPI (频率为1.8Mhz)、我们尝试 将频率降低到500kHz、挂钩仍然存在、TXS0108是否需要 阻抗匹配设计？ 是否 需要 在   应用 SPC 中说明这一点？ 该挂钩 不仅在 SCLK 中、而且在 MOSI 中、  

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    你好、Micheal

      您能否帮助解释 过大负载电容导致错误边沿检测的原因？   

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    请注意、如果不增加额外的电容、主机引脚也可能具有自己的电容、并且在 D 点观察到的较慢放电可能是由 RC 延迟引起的。

    此外、当单次触发被激活时、输出阻抗被降低以帮助增加输出驱动以支持更快的数据速率。 较慢 的边沿和过大的负载会触发一次性过期 、以便内部上拉电阻器将线路驱动为高电平或驱动  器将线路驱动为低电平。

    不过、可以在其他温度下观察到轻微反射；较低温度通常意味着较低的阻抗输出和阻抗不匹配；将观察到类似于 [常见问题解答]的反射当我将逻辑器件的输出连接到50欧姆传输线路时会发生什么情况？ 单次激发可以像您观察到的那样放大它们。

    此外、我们通常不会将自动双向器件推荐用于非自动双向的应用、因为它们的设计性质几乎没有驱动强度、有助于驱动器覆盖它们以进行自动感应以及对外部组件的敏感度、并且通常会推荐将 TXU0304用于 SPI、谢谢。

    此致、

    Michael。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    你(们)好、Michal

    我想知道如何挂钩电压将导致毛刺的输入电压。有特定的值？该值不会受到温度的影响？

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    尊敬的 Kai：

    一旦检测到上升沿或下降沿、较快的边沿、过多的容性负载和反射会在任何点被一次性放大为虚假触发。 您是否符合 VIL/VOL 规格？ 此外、较低的温度 意味着较低的阻抗、也可以放大由于阻抗不匹配而导致的现有反射。

    此致、

    Michael。

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    您好、Micheal：

      我们发现 C 点的挂钩 不仅在 SPI，上，而且在 UART/I2S 上也可以找到，因此   在设计  phas 时使用 TXS010*和 TXB010*时，可能会考虑阻抗不匹配问题？ 大多数硬件信号完整性测试是在主机和器件侧进行的、在本例中  、SoC 和器件侧的信号完整性测试在正常温度下是正常的、但 TXS0108引脚侧发现钩子异常、并且钩子在 低温下触发单次触发。 我认为在使用 TXS010*和 TXB010*时需要设计为高速信号 、因为 EDG 更快。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    是的、不特定于 SPI 或 UART/I2S、因为此类不匹配适用于任何与常见问题解答类似的应用。

    但是、此类反射/快速边缘可能会被自动双向器件放大、因此建议为此类定向应用使用推荐的固定方向器件。

    此致、

    Michael。

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    您好、Micheal：

      此外、较低的温度 意味着较低的阻抗、还可以放大由于阻抗不匹配而产生的已存在的反射；

     

       挂钩 级别在 不同的温度下不会发生变化、   在低温下更容易因错误触发单次触发

    因此我们更有可能了解这一原则，

    太棒了！

      

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    TI__Guru**** 2526700 points
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    尊敬的 Kai：

    单次触发的原理如上所述、适用于所有建议的温度。

    您能否再次确认添加与 [常见问题解答]类似的串联电阻器当我将逻辑器件的输出连接到50欧姆传输线路时会发生什么情况？ 帮助？

    此外、您能否分享真实的原理图以充分突出显示 TXS？ 谢谢。

    此致、

    Michael。