尊敬的专家：
了解有关 LSF 系列的内部 MOSFET 架构。 从培训视频中说这是一个四引脚 MOS、从图中可以看出、基极侧连接到 GND、栅极连接到 Vbias。
1.您能提供内部 MOSFET 的连接、施工和工作状态的详细信息吗? 视频不是很清楚。
2.根据数据表和培训视频、没有下游(B 驱动器 A)的转换波形。 您能否同时提供向上/向下波形？ 由于 LSF 系列是双向 LS、因此如果将导通 FET 作为3引脚 NMOSFET 连接、则上行和下行的转换应该不同。
谢谢
请参阅 LSF 应用报告。
1.它们是普通的 N 沟道 MOSFET (体连接到 GND)。 你想知道什么?
2. MOSFET 是对称的；无论您将源极或漏极称为哪一侧都没有关系。 所有电压被钳位在 Vref_A 上；任何更高的输出电压必须由上拉电阻器生成。 您可以在任何 I/O 引脚上放置上拉电阻器、并且任何引脚上的上拉电压都可以不同(但不得小于 Vref_A)。
从较高的电压转换为较低的电压时、输出电压遵循输入电压、但被钳位在 Vref_A。 如果输出引脚具有上拉电阻器、则输出电压不会低于该电压。
MOSFET 是对称的；无论您称源代码还是漏代码，都无关紧要。 所有电压均钳制在 Vref_A；
使 N-MOSFET 通过 两个 n+节点之间的通道导通。 浇口和 P 衬底上的电场对于产生和维持通道非常重要。 N-MOSFET 的导通条件为 Vgs>Vth、原因是3端 MOSFET 将体连接到两个 n+节点之一、连接的节点称为 Source。 我的理解是、如果人体连接到 GND、比栅极上的 Vth 大的小电压将打开 FET。 在视频 Vgs 中、两个节点交替。 无论源/漏极在何处、它都会影响性能下降或上升转换 H2L 或 L2H。
