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器件型号：TXB0104 主题中讨论的其他器件： TXB0304、SN74AXC4T774、 TXU0304
在与手机通信时、我们使用 TXB0104将控制器‘s IO 电平转换为 GDDR6 DRAM 的 JTAG、我们发现 JTAG 链路不稳定、尤其是 G6 IO 的电压处于某个较低值时、 以及 TCK 在捕捉波形后可能由 DRAM 触发不准确。 由于我们在一个菊花链 JTAG 上共有12个 DRAM、DRAM PD 的电阻变得更低。
下面是一些问题：
我们是否可以 用 TXB0304替换 TXB0104、对 DRAM 的 VIH 进行升级就可以？
我们可以在 ls 输出处增加串行 R 来降低振铃或过冲、或者在末端的 ODT？
SN74AXC4T774是否更适合本应用、或某些其他人推荐的解决方案、或与我们的应用类似的其他成功解决方案？
