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器件型号：TXB0304 您好！
我遇到一个有关电流的问题、原理图如下所示、
案例：
步骤1. 当 VDD_EXT 的电压 从1.8V 变为0V 时、TXBN0304的电流将高达400uA (100个芯片中的20个会出现这个问题)。
步骤2. 我 将3V3的电压释放到0V、并在1秒后再次为其通电、TXBN0304的电流降至几微安。
此外、我看到 OE 的控制流在规范中进行了标记。
- TXBN0304RUTR 要求将 OE 连接到 GND、从而在上电和断电序列期间保持高阻抗状态。
- 如果未观察到这种情况、则可能会发生器件回流、从而导致潜在的损坏。
您认为这些缺陷 芯片可能是上述原因造成的吗？
但是、我曾尝试遵循该工作流程、在上电和断电期间使 OE 保持低电平、但无法解决睡眠电流的问题。
但是、 当我执行步骤2 (将3V3的电压释放为0V、并在1秒后再次为其通电)时、我可以解决这个问题。
您能帮助解释一下吗？
谢谢。
